Китайская компания SUNCO начала выпуск новых MOSFET-транзисторов на основе карбида кремния в корпусе TOLL (таблица 1). Этот корпус рассчитан на большие токи до 300 А, а его выводы обладают низкой паразитной индуктивностью. Ее значения у TOLL гораз...
Современная тенденция в развитии силовой электроники – переход от кремния к карбиду кремния (SiC). Главная особенность SiC – более широкая запрещенная зона полупроводника. На практике это означает возможность работы при более высоких температурах,...
Использование в выпрямителях готовых модулей диодных мостов вместо набора дискретных элементов является современной тенденцией. Благодаря этому производители электроники получают такие преимущества, как меньшие габариты, простота монтажа и более в...
Быстродействие силовых транзисторов постоянно растет. Этот процесс вызван необходимостью уменьшать размеры оборудования, особенно преобразователей напряжения. Чтобы индуктивности и трансформаторы были компактнее, нужно повышать рабочие частоты инв...
Продукция китайского фаблесс-производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1).
Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на разработке ш...
Тенденция к уменьшению габаритов корпусов электронных устройств вдохновляет разработчиков и производителей на дальнейшую миниатюризацию своих изделий. Один из мировых лидеров в производстве дискретных полупроводников компания SUNCO анонсировала оч...
Компания SUNCO продолжает расширять ассортимент транзисторов, выполненных по технологии SGT, которая, в отличие от традиционной Trench MOS, обеспечивает MOSFET улучшенными характеристиками. Новые транзисторы (таблица 1) рассчитаны на напряжение до...
Компания SUNCO, являющаяся одним из ведущих разработчиков и производителей полупроводников в Китае, анонсировала выпуск новых модулей IGBT (таблица 1), предназначенных для построения инверторов переменного или постоянного тока. Данные модули реком...
Компания SUNCO анонсировала выпуск популярных сигнальных переключающих диодов и диодов Шоттки (таблица 1) в сверхкомпактном корпусе DFN0603 (рисунок 1).
Рис. 1. Внешний вид и размеры корпуса DFN0603
Особенности новых диодов:
самый маленький форм-...