Новые карбид-кремниевые MOSFET-транзисторы SUNCO в корпусе TOLL для компактных устройств высокой мощности

13 августа

управление питаниемуправление двигателемSUNCOновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETкомпактный корпусTOLL

Китайская компания SUNCO начала выпуск новых MOSFET-транзисторов на основе карбида кремния в корпусе TOLL (таблица 1). Этот корпус рассчитан на большие токи до 300 А, а его выводы обладают низкой паразитной индуктивностью. Ее значения у TOLL гораздо меньше чем у TO-220 и TO-247, которые традиционно используются в устройствах высокой мощности. Расстояние между выводами стока и истока больше чем у TO-247 (3,15 мм против 2,8 мм, соответственно).

Кроме того, корпус TOLL является более компактным, чем ТО-263 и занимает на 30% меньшую площадь на плате. При этом он на 50% ниже, что позволяет использовать меньшее количество параллельно соединенных транзисторов, увеличивая плотность мощности на единицу объема преобразователя.

Надежность транзисторов в корпусе TOLL также обеспечивается за счет продуманной системы отвода тепла, благодаря чему MOSFET-транзисторы могут работать при температуре 175°C.

Конструкция корпуса TOLL (рисунок 1) позволяет в полной мере использовать преимущества карбида кремния и строить энергоэффективные и компактные устройства высокой мощности.

Рис. 1. Внешний вид и расположение контактов корпуса TOLL

Рис. 1. Внешний вид и расположение контактов корпуса TOLL

Таблица 1. Основные параметры новых карбид-кремниевых MOSFET-транзисторов SUNCO в корпусе TOLL*

Наименование Макс. напряжение «сток-исток» Vds, В Ном. ток стока при 25°С, А Поколение Сопротив-ление открытого канала, мОм Общий заряд затвора, нКл Выходная емкость, пФ Рассеива-емая мощность, Вт Термическое сопротив-ление, °С/Вт
YJD212080TLG1 1200 39,5 Gen1 80 48 56,3 208,3 0,72
YJD206520TLGH 650 86,5 GH 20 300,1 352 263 0,57
YJD212060TLGH 1200 42,5 GH 60 117 97,4 234,4 0,64

* Максимальная рабочая температура – 175°С.

•••

Наши информационные каналы

О компании SUNCO

Компания SUNCO – крупнейший IDM-производитель (т.е. компания полного цикла) Китая, ведущий в стране изготовитель дискретных силовых полупроводников. Компания основана в 2000 году в городе Янчжоу, провинция Цзяньсу. Первыми изделиями, с которыми компания вышла на рынок полупроводников, стали силовые диоды и мостовые выпрямители. Неуклонно расширяя и технологически совершенствуя производство, компания объединила под своим крылом все его стадии – от производства кремниевых пластин до изготовления ...читать далее

Товары
Наименование
YJD212080TLG1 (YJ)
 
YJD206520TLGH (YJ)
 
YJD212060TLGH (YJ)