Новые диоды YANGJIE в корпусе SOD-123FL для подавления электростатических разрядов 18 сентября Компания Yangzhou Yangjie Electronic Technology (YANGJIE) выпустила серию защитных TVS диодов для подавления электростатических разрядов (ЭСР, ESD). ESD-диоды имеют форм-фактор SOD-123FL (рисунок 1) для поверхностного монтажа, соответствуют RoHS и... управление питаниемYangjieновостьдискретные полупроводникиESDTVS-диодыэлектростатикаSOD-123FL
Новые ультрабыстрые диодные мосты YANGJIE для портативных накопителей электроэнергии 22 августа Портативный источник питания представляет собой небольшое устройство со встроенными литий-ионными аккумуляторами, которое может заменить небольшие классические генераторы с ДВС. Емкость аккумуляторов такого накопителя может составлять 100…3000 Вт⋅... управление питаниемпотребительская электроникаYangjieновостьдискретные полупроводникиЭффективный источник питанияпассивацияДиодный мост
Новая серия SGT MOSFET N150V – специальное решение для PoE от YANGJIE 10 августа Протокол Power over Ethernet (PoE), позволяющий сетевым устройствам с интерфейсом Ethernet передавать питание по витой паре, существует уже много лет. В 2018 году был утвержден новый стандарт IEEE 802.3bt, который использует все четыре пары кабеля... телекоммуникацииуправление питаниемYangjieновостьдискретные полупроводникиMOSFETPoESGT (Split Gate Trench)IEEE802.3af/at/bt
Обновление линейки диодных мостов YANGJIE в корпусе GBU: расширение диапазона прямого тока при сохранении размеров 26 июля Диодные мосты в корпусе GBU для выводного монтажа широко используются в качестве выпрямителей входных цепей источников питания различного промышленного и бытового оборудования. Исследования рынка показали, что тенденция к увеличению удельной мощно... управление питаниемYangjieновостьдискретные полупроводникипассивацияДиодный мост
MG200HF12TLC3 – новый полумостовой IGBT-модуль YANGJIE в компактном корпусе C3 6 июля Компания Yangzhou Yangjie Electronic Technology объявила о пополнении серии MG200HF12 новым IGBT-модулем MG200HF12TLC3 (рисунок 1) в более компактном корпусе C3 (рисунок 2). Он предназначен для работы в высокочастотных применениях силовой электрон... управление питаниемуправление двигателемYangjieновостьдискретные полупроводникиIGBTсиловые модулиЧастотный приводполумост
Новый высоковольтный SiC MOSFET YJD212040NCхG1 от YANGJIE для высокочастотных применений большой мощности 29 июня С 2021 года рынок инверторов для солнечных панелей начал стремительно развиваться, что вызвало спрос на силовые компоненты SiC, применяемые в качестве ключевых элементов преобразователей энергии. Благодаря высокочастотным характеристикам полупрово... автомобильная электроникауправление питаниемуправление двигателемYangjieновостьдискретные полупроводникиSiC MOSFETзарядное устройство для электромобиляTO-247
YANGJIE анонсировал выпуск диодов и супрессоров в новом компактном корпусе SOD-123HE 8 июня Крупнейший китайский производитель полного цикла Yangzhou Yangjie Electronic Technology (YANGJIE), специализирующийся на дискретных силовых полупроводниках, анонсировал выпуск выпрямительных диодов общего назначения (таблица 1), диодов Шоттки (таб... управление питаниемпотребительская электроникаYangjieновостьдискретные полупроводникиTVSДиодыминиатюрный корпусдиод Шоттки
Компоненты первой необходимости – диоды YANGJIE в новом компактном корпусе SMBF 1 июня Диод является простейшим полупроводниковым компонентом, из-за чего может показаться, что в мире сложных интегральных схем и приборов ему не место. Однако это далеко не так: без диодов сейчас редко обходятся даже дискретные электронные схемы: выпр... управление питаниемуправление двигателемпотребительская электроникауниверсальное применениеYangjieновостьдискретные полупроводникиTVS-диодыДиодыSMBF
Новинка от YANGJIE – N-канальные полевые SGT-транзисторы N80V–N85V 23 мая Один из ведущих китайских производителей силовых дискретных полупроводниковых компонентов компания YANGJIE Technology предлагает новые N-канальные полевые транзисторы. Серии N80V-N85V на рабочие напряжения 80…85 В выполнены по технологии SGT (Spli... управление питаниемуправление двигателемпотребительская электроникаYangjieновостьдискретные полупроводникиMOSFETSGT (Split Gate Trench)
Миниатюрный корпус YANGJIE DFN1006-3L для малосигнальных устройств 17 мая Корпус DFN 1006-3L производства компании YANGJIE Technology (рисунок 1) подходит для малосигнальных транзисторов и импульсных диодов (рисунок 2) с низким током утечки, которые широко применяются, например, в схемах усилителей мощности (рисунок 3),... телекоммуникацииучёт ресурсовпотребительская электроникауниверсальное применениеYangjieновостьдискретные полупроводникиминиатюрный корпус