IGBT-модули EconoPACK™+ от Infineon с защитой от сероводорода

9 февраля
Алексей Гурвич, Оливер Шиллинг и другие (Infineon Technologies) С каждым годом на рынке возрастает число частотно-регулируемых приводов (ЧРП). В настоящее время ЧРП широко используются во многих промышленных приложениях. В некоторых применениях, т...
управление питаниемInfineonстатьядискретные полупроводникиIGBTAC-DCMotor Drive

Мощные карбид-кремниевые модули Wolfspeed для выпрямителей зарядных станций автомобилей

29 января
Александр Русу (г. Одесса) Мощные высокоскоростные силовые модули семейства XM3 на базе карбид-кремниевых MOSFET разработаны компанией Wolfspeed в первую очередь для применения в выпрямителях зарядных станций автомобилей. Их главное преимущество –...
управление питаниемуправление двигателемответственные примененияWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиAC-DCMotor DriveSiC MOSFETSIC module

Когда имеет смысл менять кремниевые транзисторы на карбид-кремниевые?

20 января
Рене Менте (Infineon) К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникну...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемлабораторные приборыInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCMotor DriveSiC MOSFET

Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 2

4 декабря 2020
Александр Русу (г. Одесса) Помимо стабильности основных технических характеристик карбид-кремниевых транзисторов линейки CoolSiC, компания Infineon довела до значений, соответствующих кремниевым аналогам, такие параметры, как устойчивость к времен...
управление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиSiCMOSFETMotor DriveSiC MOSFET

Надежность технологии CoolSiC от Infineon. Часть 1

20 ноября 2020
Александр Русу (г. Одесса) За несколько лет кропотливых исследований и совершенствования технологии компания Infineon смогла довести показатели надежности и стабильности параметров высоковольтных и быстродействующих карбид-кремниевых транзисторов ...
телекоммуникациисветотехникауправление питаниемуправление двигателемInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCDC-DCMotor Drive

Преимущества новых высоковольтных SOI-драйверов Infineon

18 ноября 2020
Вячеслав Гавриков (г. Смоленск) При производстве драйверов силовых транзисторов компания Infineon использует различные технологии: JI, SOI, CT. Драйверы, выполненные с применением технологии SOI, имеют целый ряд преимуществ по сравнению с классиче...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемInfineonстатьяинтегральные микросхемыAC-DCизоляцияККМMotor DriveAC/ВС

Карбид-кремниевые 650 В MOSFET от Wolfspeed – прямой путь повышения КПД

18 ноября 2020
Вера Ефремова (г. Екатеринбург) 650 В карбид-кремниевые (SiC) MOSFET компании Wolfspeed имеют самый низкий в отрасли показатель сопротивления открытого канала и наименьшую его зависимость от температуры, что дает им преимущество не только перед об...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиMOSFETIGBTDSPAC-DCESDККМLDODC-DCMotor Drive

Определение зависимости сопротивления NTC-термистора от температуры кристаллов силовых модулей

5 ноября 2020
Тепловое моделирование позволяет наиболее точно вычислить температуру кристаллов – основной параметр, определяющий срок службы устройства. Infineon Technologies предлагает простое решение, которое позволяет легко и точно оценить температуру криста...
управление питаниемуправление двигателемInfineonстатьядискретные полупроводникиIGBTMotor DriveСиловая электроника

900 В карбид-кремниевые MOSFET от Wolfspeed для инверторов электромобилей

3 ноября 2020
Александр Шрага (г. Москва) Технологические инновации, реализованные компанией Wolfspeed в области MOSFET на базе карбида кремния, позволили ей стать лидером рынка инверторных приводов современных электромобилей, а также разработать – на базе того...
телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиSiCMOSFETAC-DCMotor DriveКарбид кремния

Как управлять SiС-транзистором

2 ноября 2020
Алексей Гребенников (г. Москва) Преимущества карбид-кремниевых транзисторов (SiC MOSFET) – высокий КПД, повышенная, по сравнению с биполярными транзисторами с изолированным затвором (IGBT), частота переключения, экономия места на печатной плате. Д...
управление питаниемуправление двигателемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETIGBTMotor Drive