Когда имеет смысл менять кремниевые транзисторы на карбид-кремниевые? сегодня Рене Менте (Infineon) К числу целевых приложений SiC MOSFET на напряжение 650 В производства Infineon относятся системы электропитания, в которых требуется обеспечить КПД ≥ 97%, импульсные преобразователи, в которых используется или может возникну... телекоммуникацииуправление питаниемуправление двигателемлабораторные приборыInfineonстатьядискретные полупроводникиMOSFETAC-DCMotor DriveSiC MOSFET
Новые гибридные 650 В TRENCHSTOP CoolSiC IGBT 15 января Компания Infineon представила новые гибридные IGBT-транзисторы на 650 В, которые сочетают в себе преимущества технологий TRENCHSTOP и CoolSiC. Использование SiC-диода Шоттки позволяет значительно расширить возможности IGBT и снизить уровень энерги... телекоммуникацииуправление питаниемInfineonновостьдискретные полупроводникиIGBTAC-DCHybrid IGBT
Вебинар «Параметры выше, цена ниже. Обновление в линейке AC/DC- и DC/DC-преобразователей MORNSUN» (26.01.2021) 13 января Приглашаем всех желающих принять участие в вебинаре, посвящённом новым источникам питания и DC/DC-преобразователям Mornsun. На вебинаре будут рассмотрены изолированные и неизолированные DC/DC-преобразователи последнего, четвертого, поколения (R4) ... телекоммуникацииучёт ресурсовMornsunвебинаристочники питанияAC-DCDC-DCкомпактный источник питанияисточник питания на плату
Силовые модули по технологии Solder Bond типоразмеров 34 и 50 мм 28 декабря 2020 Электронные силовые полупроводниковые модули производства Infineon выполнены по технологии Solder Bond и поставляются на рынок в типоразмерах 34 и 50 мм. В статье представлены их основные параметры, особенности монтажа и рассмотрен процесс нанесен... управление питаниемответственные примененияInfineonстатьядискретные полупроводникиAC-DC
Карбид-кремниевые диоды компании Wolfspeed 24 декабря 2020 Александр Русу (г. Одесса) В ассортименте компании Wolfspeed имеются дискретные карбид-кремниевые диоды, изготовленные по технологиям JBS и MPS, с максимально допустимыми напряжениями 600 В, 650 В, 1200 В и 1700 В и максимальным током от 1 до 50 А... телекоммуникацииуправление питаниемуниверсальное применениеWolfspeed (A Cree Company)статьядискретные полупроводникиSiCAC-DCSiC Diode
Преимущества SiC-технологии и их использование: MOSFET и драйверы затвора Infineon 23 декабря 2020 Джованбаттиста Маттиуси, Диого Варахао (Infineon) С целью поддержки своих карбид-кремниевых MOSFET из линейки CoolSiC, обеспечивающих наиболее высокую в отрасли производительность, компания Infineon предлагает шесть моделей специализированных ИС д... управление питаниемуправление двигателемInfineonстатьяинтегральные микросхемыSiCMOSFETIGBTAC-DCSiC MOSFET
IGT40R070D1E8220 – новые 400 В GaN транзисторы Infineon 15 декабря 2020 Компания Infineon представила новые 400 В галлий-нитридные HEMT-транзисторы (транзисторы с высокой подвижностью электронов) серии CoolGaN, выполненные по технологии и работающие в режиме Enhancement mode (e-mode). Новые транзисторы выпущены как пр... управление питаниемInfineonновостьинтегральные микросхемыдискретные полупроводникиАудиоAC-DCGaN
Схемы и решения для управления затвором на базе ИС драйверов серии EiceDriver от Infineon 14 декабря 2020 Диого Вараджо (Infineon Technologies), Кармен Мендитти Матришано (Infineon Technologies) Самые современные драйверы управления 2EDi, 1EDB, 2EDN, 1EDN и 1EDN-TDI семейств GaN EiceDRIVER™ и EiceDRIVER™ от Infineon по своим показателям ... телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonстатьяинтегральные микросхемыMOSFETIGBTAC-DCККМ
Новые 1200 В CoolSiC G5 диоды Шоттки в двухвыводном корпусе D2PAK 11 декабря 2020 Новинка от Infineon: следуя тенденциям сокращения габаритов высоковольтных устройств, компания выпустила на рынок новые 1200 В диоды Шоттки пятого поколения (Gen 5), выполненные по технологии CoolSiC в корпусе D2PAK (TO-263-2). Средний ток диодов ... телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияInfineonновостьдискретные полупроводникиSiCAC-DCSiC Diode
Новые SiC-диоды 6 поколения от Wolfspeed на 650 В в корпусе D-Pak 11 декабря 2020 Являясь одним из лидеров в области карбид-кремниевых силовых компонентов, компания Wolfspeed продолжает развивать линейку SiC-приборов. На этот раз расширена линейка диодов Шоттки 6-го поколения на напряжение 650 В в корпусе TO-252 (D-PAK). Основн... телекоммуникацииуправление питаниемответственные примененияWolfspeed (A Cree Company)новостьдискретные полупроводникиMOSFETAC-DCSiC MOSFET