DGW50N120CTL1J – новый дискретный IGBT от SUNCO в корпусе TO-247 с быстрым обратным диодом
9 августа
Компания SUNCO (Китай) представила новый дискретный IGBT-транзистор DGW50N120CTL1J в корпусе TO-247 (рисунок 1). Его номинальное значение тока составляет 50 А, а напряжение пробоя – 1200 В. Важным преимуществом транзистора является наличие в нем о...
