ATSCM70G120H

ATS
ATSCM70G120H Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary Chip Type ATSCM70G120H VDS ID 1200V 36A RDS(ON) 68mΩ Features Benefits • • • • • • • High Blocking Voltage High Frequency Operation Low on-resistance Fast intrinsic diode with low reverse recovery 100% avalanche tested Package TO-263-7 • • • Higher system efficiency Parallel device convenience without thermal runaway High T...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= ASZM080120N (ANBON)
 
TO2637
 
 — — — — — — — — — — —
A+ AS1M080120T (ANBON)
 
TO2474
 
 — — — —
A+ ATSCM40G120W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ AS1M080120P (ANBON)
 
TO2473
 
 — — — —
A+ YJD212040NCFG1 (YJ)
 
TO2474
 
 —
A+ ATSCM70G120W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ ATSCM70G120V (ATELECT)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ YJD212040NCFG2 (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 —
A+ ASZM040120P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ ATSCM33G120W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — —
A+ YJD212080NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ YJD212080NCTG1 (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
 — — — —
A+ YJD212080NCFG1 (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — —
A+ YJD212040NCTG1 (YJ)
 
TO2473 в линейках 1000 шт
 
 —
A+ YJD212040NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ ASZM040120T (ANBON)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
 — — — — —
A+ ATSCM33G120V (ATELECT)
 
TO-247-3 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
ATSCM70G120H Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary Chip Type ATSCM70G120H VDS ID 1200V 36A RDS(ON) 68mΩ Features Benefits • • • • • • • High Blocking Voltage High Frequency Operation Low on-resistance Fast intrinsic diode with low reverse recovery 100% avalanche tested Package TO-263-7 • • • Higher system efficiency Parallel device convenience without thermal runaway High Temperature Application Hard switching & higher Reliability Easy to drive. • • • AC/DC converters DC/DC converters Uninterruptable power supplies Applications • • • Motor Drives Solar/ Wind Inverters EV Charging Station Maximum Ratings (TC=25°C unless otherwise specified) Parameter Drain - Source Voltage Gate - Source Voltage (dynamic) Gate - Source Voltage (static) Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Avalanche Energy Avalanche Peak Current Total power dissipation Operating Junction Temperature Storage Temperature ATSCM70G120H Objective data sheet Symbol Test conditions VDSmax VGSmax Tsurge <100ns VGSop static ID VGS = 20V, TC=25°C, VGS = 20V, TC=100°C ID(pulse) TC=25°C, EAS VDD = 100V, VGS=20V, L=2mH IAV PD TC=25°C TJ TSTG support@at-semi.com Value 1200 -10 / +25 -5 / +20 36 25 85 256 16 192 -55 to 175 -55 to 175 Unit V V V A A mJ A W °C °C AT ELECTRONICS HONGKONG LIMITED 2023 ALL RIGHTS RESERVED 1 / 9 PDF
Документация на ATSCM70G120H 

Datasheet

Дата модификации: 19.03.2024

Размер: 2.35 Мб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    08 июля 2024
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили SiC-MOSFET производства ATS и Anbon

    Карбид кремния как материал, обладающий полупроводниковыми свойствами, известен более века, но его массовое применение в полупроводниковых приборах началось относительно недавно благодаря усовершенствованию и удешевлению технологии производства.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)