ATSCM70G120H

ATSCM70G120H Silicon Carbide Power MOSFET Product Summary Chip Type ATSCM70G120H VDS ID 1200V 36A RDS(ON) 68mΩ Features Benefits • • • • • • • High Blocking Voltage High Frequency Operation Low on-resistance Fast intrinsic diode with low reverse recovery 100% avalanche tested Package TO-263-7 • • • Higher system efficiency Parallel device convenience without thermal runaway High T...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2637
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Рассеиваемая мощность
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= ASZM080120N (ANBON)
 
TO2637
 
A+ AS1M080120T (ANBON)
 
TO2474
 
A+ ATSCM40G120W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ AS1M080120P (ANBON)
 
TO2473
 
A+ YJD212040NCFG1 (YJ)
 
TO2474
 
A+ ATSCM70G120W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ ATSCM70G120V (ATELECT)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ YJD212040NCFG2 (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ ASZM040120P (ANBON)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ ATSCM33G120W (ATELECT)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ YJD212080NCTGH (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ YJD212080NCTG1 (YJ)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ YJD212080NCFG1 (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ YJD212040NCTG1 (YJ)
 
TO2473 в линейках 1000 шт
 
A+ YJD212040NCFGH (YJ)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ ASZM040120T (ANBON)
 
TO2474 в линейках 30 шт
 
A+ ATSCM33G120V (ATELECT)
 
TO-247-3

Файлы 1

показать свернуть

    Публикации 1

    показать свернуть
    08 июля 2024
    новость

    На склад КОМПЭЛ поступили SiC-MOSFET производства ATS и Anbon

    Карбид кремния как материал, обладающий полупроводниковыми свойствами, известен более века, но его массовое применение в полупроводниковых приборах началось относительно недавно благодаря усовершенствованию и удешевлению технологии производства.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.