CRSE095N06L2

CRSE095N06L2 SkyMOS2 N-MOSFET 60V, 8mΩ, 12A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced SkyMOS2 technology VDS 60V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ 8mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) RDS(on)@4.5V typ 11.1mΩ • Qualified according to JEDEC criteria ID 12A Applications • Synchronous Rectification for AC/DC Quick Charger • Batte...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRF7855TRPBF-VB (VBSEMI)
 
 
P- WMS076N06LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- YJS12G06D (YJ)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
P- CJQ12SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
±
P- NCE6012AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ CJQ18SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ WMS090NV6LG4 (WAYON)
 
 
A+ WMS048NV6LG4 (WAYON)
 
 
A+ WMS048NV6HG4 (WAYON)
 
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.