YJS12G06D

SUNCOYJ
RoHS YJS12G06D COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 12A ＜8.5 mohm ＜12 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ●...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ NCE6012AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
A+ LNB88075DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8512DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB85042DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8462DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 — — — — — —
A+ LN7506DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN75042DT3WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
 ± — — — — — —
A+ LN4506T1G (LRC)
 
SOP-8
 
 ± — — — — — —
A+ LNB88078SDT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS12G06D COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 12A ＜8.5 mohm ＜12 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Industrial and Motor Drive application ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ Unit 12 Drain Current (Silicon limited) ID A TA=100℃ 7.5 Pulsed Drain Current A IDM 48 A Avalanche energy B EAS 132 mJ Total Power Dissipation C PD 3.1 W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 31 40 59 75 16 24 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJL ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS12G06D F2 Q12G06D 4000 8000 64000 13“ reel 1/6 S-E141 Rev.1.1,22-Jun-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS12G06DF2 

Дата модификации: 23.06.2021

Размер: 1.19 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)