YJS12G06D

Yangjie
RoHS YJS12G06D COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 12A ＜8.5 mohm ＜12 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ●...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRF7855 (EVVO)
 
SOP-8 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CRSE095N06L2 (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
P- NCE6012AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
P- WMS076N06LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CJQ12SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
P- IRF7855TRPBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ LNB8462DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 — — — — — —
A+ LNB88078SDT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB85042DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB8512DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ LNB88075DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
 ± — — — — — —
A+ WMS048NV6HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ CJQ18SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
A+ WMS090NV6LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMS048NV6LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ LN4506T1G (LRC)
 
SOP-8
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS12G06D COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 60V 12A ＜8.5 mohm ＜12 mohm General Description ● Split Gate Trench MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Industrial and Motor Drive application ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ Unit 12 Drain Current (Silicon limited) ID A TA=100℃ 7.5 Pulsed Drain Current A IDM 48 A Avalanche energy B EAS 132 mJ Total Power Dissipation C PD 3.1 W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 31 40 59 75 16 24 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJL ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS12G06D F2 Q12G06D 4000 8000 64000 13“ reel 1/6 S-E141 Rev.1.1,22-Jun-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS12G06DF2 

Дата модификации: 23.06.2021

Размер: 1.19 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)