NCE6012AS

NCE6012AS http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6012AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 60V,ID =12A RDS(ON) < 8mΩ @ VGS=10V (Typ:6.5mΩ) RDS(ON) < 9mΩ @ VGS=4.5V (Typ:7.5mΩ) Schematic diagram ● High ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS12G06D (YJ)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
A+ LNB88075DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8512DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB85042DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8462DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
A+ LN7506DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN75042DT3WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN4506T1G (LRC)
 
SOP-8
 
±
A+ LNB88078SDT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.