CRTK140P03LZ

CR Micro
CRTK140P03LZ Trench P-MOSFET -30V, 10mΩ, -35A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology VDS -30V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 10mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID -35A • Qualified according to JEDEC criteria 100% Avalanche Tested Applications • Motor control and drive • Battery management • UPS (Uninter...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJAE35P03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
P- WMQ25P03T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт — — —
P- NCE30P20Q (NCE)
 
DFN83X3 в ленте 105 шт
 
 ± — — — —
P- JMTQ160P03A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRTK140P03LZ Trench P-MOSFET -30V, 10mΩ, -35A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology VDS -30V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 10mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID -35A • Qualified according to JEDEC criteria 100% Avalanche Tested Applications • Motor control and drive • Battery management • UPS (Uninterrupible Power Supplies) Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package CRTK140P03LZ 140P03 DFN3.3*3.3 Packing Reel Reel Size Tape Width Qty N/A N/A 4000 or 5000 Symbol Value Unit VDS -30 V Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current TC = 25°C (Silicon limit) TC = 25°C (Package limit) ID TC = 100°C (Silicon limit) -64 -35 A -41 Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) ID pulse -60 A Avalanche energy, single pulse (L=0.3mH, Rg=25Ω) EAS 45.5 mJ Gate-Source voltage VGS ±20 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 78.2 W Tj , T stg -55...+150 °C Tsold 260 °C Operating junction and storage temperature Soldering temperature, wave soldering only allowed at leads (1.6mm from case for 10s) Rev1.0 ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited Page 1 PDF
Документация на CRTK140P03LZ 

15060304-CRM-CRTK140P03LZ-AB_Rev1.0.xlsx

Дата модификации: 10.01.2023

Размер: 1.44 Мб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)