CRTK140P03LZ

CRTK140P03LZ Trench P-MOSFET -30V, 10mΩ, -35A 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology VDS -30V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on) typ. 10mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID -35A • Qualified according to JEDEC criteria 100% Avalanche Tested Applications • Motor control and drive • Battery management • UPS (Uninter...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJAE35P03 (JSCJ)
 
 
±
P- WMQ25P03T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
P- NCE30P20Q (NCE)
 
DFN83X3 в ленте 105 шт
 
±
P- JMTQ160P03A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.