WMQ25P03T1
WMQ25P03T1
30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMQ25P03T1 uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
D
D
D
D
D
yet maintain superior switching performance.
Features
S
S
S
D
D
D
G
G
S
S
PDFN3030-8L
VDS= -30V, ID = -25A
RDS(on) < 20mΩ @ VGS = -10V
RDS(on) < 30mΩ @ VGS = -4.5V
Low ...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L3X3
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L3X3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | CJAE35P03 (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| P- | NCE30P20Q (NCE) | DFN83X3 | в ленте 105 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| P- | CRTK140P03LZ (CRMICRO) | DFN83X3 |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | |||
| P- | JMTQ160P03A (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMQ25P03T1
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 17.05.2022
Размер: 601.8 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.