JMTQ160P03A

JIEJIE
JMTQ160P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS = -30V, ID = -15A RDS(ON) < 14mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 24mΩ @ VGS = -4.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired PDFN3x3-8L 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L3X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJAE35P03 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
P- WMQ25P03T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт — — —
P- NCE30P20Q (NCE)
 
DFN83X3 в ленте 105 шт
 
 ± — — — —
P- CRTK140P03LZ (CRMICRO)
 
DFN83X3
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTQ160P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS = -30V, ID = -15A RDS(ON) < 14mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 24mΩ @ VGS = -4.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired PDFN3x3-8L 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) Q160P03A JMTQ160P03A TAPING PDFN3x3-8L 13inch 5000 50000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V TC = 25℃ -15 A TC = 100℃ -9.8 A -60 A 40 mJ 5.4 W 23 ℃/W -55 to +150 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current EAS Single Pulsed Avalanche Energy PD Power Dissipation RθJA TJ, TSTG note1 note2 TC= 25℃ Thermal Resistance, Junction to Case Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd Version :1.1 -1- PDF
Документация на JMTQ160P03A 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 12.08.2022

Размер: 473.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)