CJAE35P03
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
DFNWB3×3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJAE35P03
P-Channel Power MOSFET
ID
RDS(on)TYP
V(BR)DSS
-30V
DFNWB3×3-8L
-35A
10mΩ@-10V
DESCRIPTION
The CJAE35P03 uses advanced trench technology and design to
provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a
wide variety of applications
FEATURES
High density cell design for ...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: —
Технические характеристики
показать свернуть| Конфигурация и полярность |  | |
|---|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 5
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | WMQ25P03T1 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| P- | NCE30P20Q (NCE) | DFN83X3 | в ленте 105 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| P- | CRTK140P03LZ (CRMICRO) | DFN83X3 |  |  |  |  |  | — |  |  |  | — |  | — | |||
| P- | JMTQ160P03A (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| P- | IRFHM9331TRPBF-VB (VBSEMI) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.