CS2N60A4H

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS2N60 A4H General Description： 600 V ID 2 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD (TC=25℃) 35 W which reduce the conduction loss, improve switching performance RDS(ON)Typ 3.6 Ω CS2N60 A4H, the VDSS silicon N-channel Enhanced and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switchi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMO07N60C4 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
P= CJU02N60M1 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 — — — — — — — — — — — —
P= CS2N60A4R (CRMICRO)
 
TO252
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ TSM60NB900CP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт
 
 — —
A+ TSM4NB60CH C5G (TSC)
 
TO251 75 шт
 
 — —
A+ TSM4NB60CP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт — —
A+ TSM60NB900CH C5G (TSC)
 
TO251 75 шт
 
 — —
A+ CJU04N65 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ CJP04N65 (JSCJ)
 
TO2203L
 
 ± — — — — —
A+ CJD04N65 (JSCJ)
 
TO251
 
 ± — — — — —
A+ TSM2NB60CP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт — —
A+ CJPF04N80 (JSCJ)
 
TO220F
 
 ± — — — — —
A+ CJPF04N65 (JSCJ)
 
TO220F
 
 ± — — — — —
A+ CJPF02N65 (JSCJ)
 
TO220F
 
 ± — — — — —
A+ WML07N60C2 (WAYON)
 
TO220F
 
 — — —
A+ WML04N65C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ WMF07N70C2 (WAYON)
 
SOT-223 — — —
A+ WMP04N65C2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — —
A+ CJD02N65 (JSCJ)
 
TO251
 
 ± — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET R ○ CS2N60 A4H General Description： 600 V ID 2 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD (TC=25℃) 35 W which reduce the conduction loss, improve switching performance RDS(ON)Typ 3.6 Ω CS2N60 A4H, the VDSS silicon N-channel Enhanced and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficiency. The package form is TO-252, which accords with the RoHS standard.. Features： l Fast Switching l Low ON Resistance(Rdson≤4.5Ω) l Low Gate Charge (Typical Data:8.5nC) l Low Reverse transfer capacitances(Typical:5.4pF) l 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications： Power switch circuit of adaptor and charger. Absolute（Tc= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS ID IDM a1 VGS a2 EAS EAR IAR a1 a1 dv/dt a3 Rating Units Drain-to-Source Voltage 600 V Continuous Drain Current 2.0 A Continuous Drain Current T C = 100 °C 1.45 A Pulsed Drain Current 8.0 A Gate-to-Source Voltage ±30 V Single Pulse Avalanche Energy 80 mJ Avalanche Energy ,Repetitive 6.4 mJ Avalanche Current 1.1 A 5 V/ns 35 W 0.28 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ 300 ℃ Peak Diode Recovery dv/dt Power Dissipation PD Derating Factor above 25°C TJ，T stg Operating Junction and Storage Temperature Range TL Maximum Temperature for Soldering W U X I C H I N A R E S O U R C E S H U A J I N G M I C R O E L E C T R O N I C S C O . , LT D . P a g e 1 of 1 0 2 0 1 5 V0 1 PDF
Документация на CS2N60A4H 

CS2N60+A4H[1]

Дата модификации: 05.11.2015

Размер: 239.7 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)