Вход / Регистрация

HGQ011N03A-G

CR Micro
Silicon N-Channel Power MOSFET ® HGQ011N03A-G General Description： HGQ011N03A-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as A load switch and PWM applications. the package form is PDFN5*6, which accords with the ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN568
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJG105N03A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
P- WMB108N03T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- NCEP30T17GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ JMSH0401ATSQ-13 (JIEJIE)
 
— 2000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL0401BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ NCEP40T35ALL (NCE)
 
— в ленте 15 шт
 
 ± — — —

Файлы 1

показать свернуть
Silicon N-Channel Power MOSFET ® HGQ011N03A-G General Description： HGQ011N03A-G, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as A load switch and PWM applications. the package form is PDFN5*6, which accords with the VDSS 30 V ID（Silicon limited） 300 A ID（Package limited） 100 A PD 147 W RDS(ON)Typ 0.75 mΩ RoHS standard. Features： ● Fast Switching ● Low ON Resistance ● Low Gate Charge ● Low Reverse transfer capacitances ● 100% Single Pulse avalanche energy Test ● Halogen Free Applications： Power switch circuit of adaptor and charger. Absolute（Tj= 25℃ unless otherwise specified）： Symbol Parameter VDSS ID IDM a1 VGS EAS a2 Rating Units Drain-to-Source Voltage 30 V Continuous Drain Current TC = 25 °C（Silicon limited） 300 A Continuous Drain Current TC = 25 °C (Package limited) 100 A Continuous Drain Current TC = 100 °C (Package limited) 100 A Pulsed Drain Current TC = 25 °C 400 A Gate-to-Source Voltage ±18 V Avalanche Energy 625 mJ Power Dissipation TC = 25 °C 147 W Derating Factor above 25°C 1.17 W/℃ 150，–55 to 150 ℃ PD TJ，Tstg Operating Junction and Storage Temperature Range WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. Page 1 of 10 2020V01 PDF
Документация на HGQ011N03A-G 

Дата модификации: 04.06.2020

Размер: 1.25 Мб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)