WMB108N03T1
WMB108N03T1
30V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB108N03T1 uses advanced power trench technology that has
D
D
D
D
D
D
D
D
been especially tailored to minimize the on-state resistance and
s
ss
yet maintain superior switching performance.
G
G
ss
Features
⚫
PDFN5060-8L
VDS = 30 V, ID = 108A
RDS(on) < 4mΩ @ VGS = 10 V
RDS(on) < 6mΩ @ VGS = 4.5V
⚫
Green De...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L5X6 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 23
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | YJD120N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | CJU100N03 (JSCJ) | TO2522L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | |
| A+ | JMSL0403AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0402AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0303AG-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | JMSL0302AU-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | CJAC150N03A (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC130SN04L (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | CJAC110N03A (JSCJ) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | NTD4804NT4G (YOUTAI) | TO-252-3 |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG200G04AR (YJ) | — | 1 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG130G04A (YJ) | — |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 40V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | |||
| A+ | WMO150N03T1 (WAYON) | TO252 | в коробках 2500 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | YJG150N03A (YJ) | — | 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJG105N03A (YJ) | PDFN568 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |  | — | ||
| A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | 5000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | YJD180N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| A+ | JMTC035N04A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | WMK180N03TS (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMK180N03T1 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | WMB018N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — | — | — | ||
| A+ | JMTE025N04D (JIEJIE) | TO263 | 800 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB108N03T1
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 24.11.2022
Размер: 492.3 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.