NCEP30T17GU

NCE
Pb Free Product NCEP30T17GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP30T17GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequenc...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ JMSH0401ATLQ-13 (JIEJIE)
 
— 2000 шт
 
 — — — —
A+ JMSH0401BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ NCEP30T21GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ HGQ011N03A-G (CRMICRO)
 
PDFN568
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
Pb Free Product NCEP30T17GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP30T17GU uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. General Features Schematic Diagram ● VDS =30V,ID =170A RDS(ON)=0.97mΩ (typical) @ VGS=10V RDS(ON)=1.25mΩ (typical) @ VGS=4.5V D D S S D D D D D D ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating ● 100% UIS tested Application S G G Top View S S S Bottom View ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification 100% ΔVds TESTED! Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P30T17GU NCEP30T17GU DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 30 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 170 A ID (100℃) 125 A Pulsed Drain Current IDM 680 A Maximum Power Dissipation PD 135 W 1.08 W/℃ EAS 1350 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ Drain Current-Continuous (Silicon Limited) Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 1) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V4.0 PDF
Документация на NCEP30T17GU 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 24.04.2022

Размер: 1.01 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)