JMTG3005A
JMTG3005A
Description
JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET
Features
Applications
30V, 60A
RDS(ON) < 4.7mΩ @ VGS = 10V
Load Switch
PWM Application
Power Management
RDS(ON) < 7.9mΩ @ VGS = 4.5V
Advanced Trench Technology
100% UIS TESTED!
100% ΔVds TESTED!
Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge
Lead Free
D
G
S
PDFN5x6-8L
Schematic Diagram
Marking and Pin A...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 5000 шт.
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PDFN8L5X6 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
Заряд затвора | ||
Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 18
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | YJD120N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
A+ | CJAB60N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJG105N03A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 105A I(D), 30V, 0.003ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | JMSL0403AG (JIEJIE) | — | — | — | — | — | |||||||||||
A+ | JMSH0406AGQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJAC110SN04 (JSCJ) | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJAC110N03A (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAC110N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | CJAB75N03U (JSCJ) | — | в ленте 5000 шт | ± | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | 30N03A (YOUTAI) | TO252 | 100 шт | — | ± | — | — | — | |||||||||
A+ | CJU110SN04 (JSCJ) | TO2522L | — | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJAC80N03 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJQ60N03A (YJ) | DFN30308 | 5000 шт | — | — | ||||||||||||
A+ | YJD80N03A (YJ) | TO252 | 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 30V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
A+ | WMB023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB017N03LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт |
| — | — | — | ||||||||||
A+ | WMQ023N03LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — |
Файлы 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.