JMTG60N04B

JIEJIE
JMTG60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Applications Features 40V, 50A RDS(ON) < 7.9mΩ @ VGS = 10V  RDS(ON) < 11.2mΩ @ VGS = 4.5V Advanced Trench Technology    Power Management 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead Free   Load Switch PWM Application  D G S PDFN5x6-8L Marking and Pin Assignment Sche...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ TQM019NH04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт —
A+ TSM070NB04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ TSM070NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ WMB70N04T1 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ TSM051N04LCP ROG (TSC)
 
TO252 2500 шт
 
 — —
A+ CJAC90N04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAB65N04 (JSCJ)
 
— ± — — — — —
A+ WMQ050N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3
 
 — — — — — —
A+ YJG60N04A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — —
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ YJD60N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ TQM019NH04CR-V RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
JMTG60N04B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Applications Features 40V, 50A RDS(ON) < 7.9mΩ @ VGS = 10V  RDS(ON) < 11.2mΩ @ VGS = 4.5V Advanced Trench Technology    Power Management 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Lead Free   Load Switch PWM Application  D G S PDFN5x6-8L Marking and Pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package JMTG60N04B JMTG60N04B TAPING PDFN5x6-8L Reel Size Reel(pcs) 13" 5000 Per Carton (pcs) 50000 Absolute Maximum Ratings (@ TC = 25°C unless otherwise specified) Symbol Parameter Value Units VDS Drain-to-Source Voltage 40 V VGS Gate-to-Source Voltage ±20 V ID Continuous Drain Current TC = 25°C 50 TC = 100°C 32 A IDM Pulsed Drain Current (1) 200 A EAS Single Pulsed Avalanche Energy (2) 81 mJ 32 W PD Power Dissipation TC = 25°C RθJA Thermal Resistance, Junction to Ambient(3) 37 RθJC Thermal Resistance, Junction to Case 3.9 TJ, TSTG Junction & Storage Temperature Range -55 to 150 JieJie Microelectronics Co., Ltd 1 °C/W °C Version:1.3 PDF
Документация на JMTG60N04B 

Дата модификации: 03.04.2023

Размер: 516.7 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)