YJD60N04A

SUNCO
RoHS YJD60N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40 V 60 A ＜7.0 mohm ＜9.5 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD120N04A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт — —
A+ TQM025NH04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ TQM019NH04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ TQM019NH04CR-V RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 —
A+ TQM019NH04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт —
A+ TSM070NB04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ TSM070NB04CR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —
A+ CJU110SN04 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 — — — — —
A+ CJAC90N04 (JSCJ)
 
—
 
 ± — — — — —
A+ CJAC110SN04 (JSCJ)
 
—
 
 — — — — —
A+ CJAB65N04 (JSCJ)
 
— ± — — — — —
A+ YJG60G04HHQ (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 30 шт
 
 — — — —
A+ IRF1404 (YOUTAI)
 

IRF1404 (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMB032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMQ032N04LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ YJG60N04A (YJ)
 
PDFN8L5X6 в ленте 5000 шт
 
 — — —
A+ YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 
 — —
A+ TQM025NH04LCR RLG (TSC)
 
PDFN568 2500 шт
 
 — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJD60N04A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40 V 60 A ＜7.0 mohm ＜9.5 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 60 TC=25℃ Drain Current A ID 38 TC=100℃ Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 200 A 44 W 17 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche Energy B EAS 110 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 2.8 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD60N04A F1/F2 YJD60N04A 2500 / 25000 13“ reel 1/7 S-E623 Rev.3.1,28-Mar-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD60N04A 

Microsoft Word - YJD60N04A Rev 3.1

Дата модификации: 31.03.2022

Размер: 498.2 Кб

8 стр.

RoHS COMPLIANT YJD60N04A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 40V 60A ＜7.0 mohm ＜9.5 mohm General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● High current load applications ● Load switching ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 40 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 60 TC=25℃ Drain Current ID A TC=100℃ 42 Pulsed Drain Current A IDM TC=25℃ Total Power Dissipation 200 A 54 W 27 W PD TC=100℃ Single Pulse Avalanche Energy B EAS 120 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case C RθJC 2.8 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+175 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD60N04A F2 YJD60N04A 2500 / 25000 13“ reel 1/6 S-B1111 Rev.2.0,25-Dec-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD60N04A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 11.03.2019

Размер: 618.6 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCO

    Новые серии MOSFET производства SUNCO – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)