YJG60N04A
RoHS
YJG60N04A
COMPLIANT
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Product Summary
● VDS
● ID
● RDS(ON)( at VGS=10V)
● RDS(ON)( at VGS=4.5V)
● 100% EAS Tested
● 100% ▽VDS Tested
40V
60A
<7mΩ
<9mΩ
General Description
● Trench Power MV MOSFET technology
● Excellent package for heat dissipation
● High density cell design for low RDS(ON)
● Moisture Sensitivity Level 3
● Epoxy Meets ...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 5000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L5X6 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ||
| Заряд затвора | ||
| Рассеиваемая мощность | ||
| Ёмкость затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 19
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | JMSL0406AGQ (JIEJIE) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
| P- | NCEP4045GU (NCE) | — | ± | — | — | — | |||||||||||
| P- | WMB70N04T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| P- | CJAC90N04 (JSCJ) | — | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
| P- | WMB56N04T1 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | TSM070NB04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
| A+ | TSM070NB04LCR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
| A+ | TQM019NH04CR RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт |
| — | ||||||||||||
| A+ | WMB032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | WMQ032N04LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | CJAC110SN04 (JSCJ) | — | — | — | — | — | — | ||||||||||
| A+ | TSM051N04LCP ROG (TSC) | TO252 | 2500 шт | — | — | ||||||||||||
| A+ | CJAB65N04 (JSCJ) | — |
| ± | — | — | — | — | — | ||||||||
| A+ | CJU110SN04 (JSCJ) | TO2522L | — | — | — | — | — | ||||||||||
| A+ | YJG100N04A (YJ) | PDFN568 | в ленте 5000 шт | — | — | ||||||||||||
| A+ | YJD60N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 40V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | — | |||||||||||
| A+ | YJD120N04A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| — | — | |||||||||||
| A+ | IRF1404 (YOUTAI) IRF1404 (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | — | — | — | |||||||||||
| A+ | TQM019NH04CR-V RLG (TSC) | PDFN568 | 2500 шт | — |
Файлы 1
показать свернутьПубликации 1
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.