Вход / Регистрация

CRMM4900D

CR Micro
CRMM4900D 60V Dual Power MOSFET 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology Symbol N-Ch1 N-Ch2 VDS 60V 60V RDS(on) typ. 15.5mΩ 15.5mΩ ID 11A 11A • Extremely low on-resistance RDS(on) • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor drive Package Marking and Ordering Information Pa...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP8L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= NCE60ND09AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CJQ12SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
P- YJS05N06A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт — —
P- NCE60ND08S (NCE)
 
SO-8 SOIC8
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMTP110N06D (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF7351 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт — — — — —
A+ CRTE200N06L2D-G (CRMICRO)
 
SOP8L
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRMM4900D 60V Dual Power MOSFET 华润微电子(重庆)有限公司 Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology Symbol N-Ch1 N-Ch2 VDS 60V 60V RDS(on) typ. 15.5mΩ 15.5mΩ ID 11A 11A • Extremely low on-resistance RDS(on) • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) 100% DVDS Tested Applications 100% Avalanche Tested • Motor drive Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package Packing Reel Size Tape Width Qty CRMM4900D CRMM4900D SOP-8L Taping N/A N/A 4000pcs Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Drain-source voltage Maximum Unit N-Ch1 N-Ch2 VDS 60 60 V Continuous drain current TC = 25°C (Silicon limit) ID 11 11 A Continuous drain current TC = 25°C (Package limit) ID 11 11 A ID pulse 45 45 A Avalanche energy, single pulse (L=0.5mH, Rg=25Ω) EAS 210 210 mJ Gate-Source voltage VGS ±20 ±20 V Power dissipation (TC = 25°C) Ptot 4.4 4.4 W Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) Operating junction and storage temperature REV1.0 Tj , T stg ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited -55...+150 °C Page 1 PDF
Документация на CRMM4900D 

Subject:

Дата модификации: 18.06.2021

Размер: 1.09 Мб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)