JMTP130P04A

JIEJIE
JMTP130P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS= -40V, ID= -12A RDS(ON) < 14.3mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 22mΩ @ VGS = -4.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOP-8 top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE40P13S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 1 шт ± — — — —
P- CJQ13P04 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
P- WMS13P04T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- IRF7240TR (YOUTAI)
 

IRF7240TR (INFIN) 		SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTP130P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  VDS= -40V, ID= -12A RDS(ON) < 14.3mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 22mΩ @ VGS = -4.5V  PWM Applications  Load Switch  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead free product is acquired SOP-8 top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device OUTLINE Device Package Reel Size Reel (PCS) Per Carton (PCS) 130P04A JMTP130P04A TAPING SOP-8 13inch 4000 48000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage -40 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V TA = 25℃ -12 A TA = 100℃ -7.8 A -48 A TA = 25℃ 3.5 W Thermal Resistance, Junction to Ambient 36 ℃/W -55 to +150 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current PD Power Dissipation RθJA TJ, TSTG note1 Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics CO. , Ltd Version :1.2 -1- PDF
Документация на JMTP130P04A 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 06.05.2021

Размер: 413.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)