IRF7240TR

UMW
UMW R IRF7240 P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -40V ID = -10.5 A RDS(ON) 16m (VGS = -10V) RDS(ON) 27m (VGS = -4.5V) S Ultra Low On-Resistance S Surface Mount S 1 8 2 7 3 6 4 5 A D D D Lead-Free G D SOP-8 Description The SOP-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variet...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Истор. имя: IRF7240TR (INFIN)
  • Корпус: SO-8 SOIC8
  • Норма упаковки: 3000  шт. (в ленте)

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE40P13S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 1 шт ± — — — —
P- CJQ13P04 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — — —
P- WMS13P04T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- JMTP130P04A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R IRF7240 P-Channel MOSFET Features VDS (V) = -40V ID = -10.5 A RDS(ON) 16m (VGS = -10V) RDS(ON) 27m (VGS = -4.5V) S Ultra Low On-Resistance S Surface Mount S 1 8 2 7 3 6 4 5 A D D D Lead-Free G D SOP-8 Description The SOP-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. Absolute Maximum Ratings Parameter VDS ID @ TA = 25°C ID @ TA= 70°C IDM PD @TA = 25°C PD @TA = 70°C VGS TJ, TSTG Drain- Source Voltage Continuous Drain Current, VGS @ -10V Continuous Drain Current, VGS @ -10V Pulsed Drain Current  Power Dissipation ƒ Power Dissipationƒ Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage Junction and Storage Temperature Range Max. Units -40 -10.5 -8.6 -43 2.5 1.6 20 ± 20 -55 to + 150 V mW/°C V °C Max. Units 50 °C/W A W Thermal Resistance Parameter RθJA www.umw-ic.com Maximum Junction-to-Ambientƒ 1 UTD Semiconductor Co.,Limited PDF
Документация на IRF7240TRUMW 

UMW IRF7240TR

Дата модификации: 30.12.2022

Размер: 343.6 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)