NCE40P13S

NCE40P13S http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE40P13S uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS =-40V,ID =-13A RDS(ON) <15mΩ @ VGS=-10V Schematic diagram RDS(ON) <18mΩ @ VGS=-4.5V ● High density cell design for ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- TSM150P04LCS RLG (TSC)
 
SOP-8 2500 шт
 
P- CJQ13P04 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 10 шт ±
P- WMS13P04T1 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- JMTP130P04A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- IRF7240TR (YOUTAI)
 

IRF7240TR (INFIN)
SO-8 SOIC8 в ленте 3000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.