CJ2102A
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-323 Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJ2102A
N-Channel MOSFET
V(BR)DSS
ID
RDS(on)MAX
SOT-323
68mΩ@4.5V
20 V
2.1A
115mΩ@2.5V
1. GATE
2. SOURCE
3. DRAIN
FEATURE
z TrenchFET Power MOSFET
APPLICATION
z
Load Switch for Portable Devices
DC/DC Converter
z
MARKING
Equivalent Circuit
Maximum ratings (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Paramet...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOT-323-3
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-323-3 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Диапазон номинальных напряжений затвора |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Рассеиваемая мощность |  | |
| Примечание |  | |
| Ёмкость затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 11
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| P- | YJL2102W (YJ) | SOT-323-3 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | |
| P- | WM02N20G (WAYON) | SOT-323-3 | в ленте 3000 шт |
|  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | |
| A+ | WM02N31M (WAYON) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — | — | — | — | — | — | ||
| A+ | JMTL2302C (JIEJIE) | SOT-23-3 | 3000 шт |  |  |  |  |  |  | — |  | — | — |  | — | ||
| A+ | LN2312SLT1G (LRC) | SOT-23-3 |  |  |  |  |  | ± | — | — | — | — | — | — | |||
| A+ | BLM2302 (CN BELL) | SOT-23-3 |  |  |  |  |  |  |  |  |  | N-Channel Trench MOSFET, SOT23, 20 V, 2,9 A, 0,03 Ohm |  | High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, Battery protection, Load switch, Power management | |||
| A+ | MTM78E2B0LBF (PAN) | WSON-8 | 1 шт |  |  |  |  |  | — | — | — |  | Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | — | ||
| A+ | CJA9452 (JSCJ) | SOT893L |  |  |  |  |  | ± | — | — | — |  | — | — | |||
| A+ | NCE2302 (NCE) | SOT-23-3 | в ленте 3000 шт |  |  |  |  |  | ± | — |  |  | — | — | — | ||
| A+ | IRLML6246 (KLS) | — | 1 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | — |  | — | ||
| A+ | LN2502LT1G (LRC) | — |  |  |  |  |  | ± | — | — | — | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJ2102A
Microsoft Word - CJ2102_SOT-323_A.doc
Дата модификации: 23.08.2021
Размер: 1.04 Мб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.