CJB120SN08

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB120SN08 V(BR)DSS N-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP 3.0mΩ@10V 80V 4.1mΩ@4.5V TO-263-2L ID 120A DESCRIPTION 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 7KH &-B2608 XVHV VKLHOGHG JDWH WUHQFK WHFKQRORJ\ DQG GHVLJQ WR SURYLGH H[FHOOHQW 5'6 21  ZLWK ORZ JDWH FKDUJH ,W FDQ EHXVHGLQDZLGHYDU...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид CJB110SN10

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2632L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB040N08HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в коробках 3000 шт
 
 — — —
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ STP310N10F7 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N CH 100V 180A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB —
A+ STP270N8F7 (ST)
 
TO220AB 50 шт MOSFET N CH 80V 180A TO220 Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB —
A+ STH315N10F7-2 (ST)
 
H2PAK2 1000 шт
 
 — —
A+ STH240N10F7-6 (ST)
 
H2PAK6 в ленте 1000 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STP240N10F7 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
 — —
A+ STP150N10F7 (ST)
 
TO220AB 50 шт
 
 — —
A+ STL130N8F7 (ST)
 
POWERFLAT 3000 шт
 
 — —
A+ WMLL029NV8HGS (WAYON)
 
— в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ STP315N10F7 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB120SN08 V(BR)DSS N-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP 3.0mΩ@10V 80V 4.1mΩ@4.5V TO-263-2L ID 120A DESCRIPTION 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 7KH &-B2608 XVHV VKLHOGHG JDWH WUHQFK WHFKQRORJ\ DQG GHVLJQ WR SURYLGH H[FHOOHQW 5'6 21  ZLWK ORZ JDWH FKDUJH ,W FDQ EHXVHGLQDZLGHYDULHW\RIDSSOLFDWLRQV FEATURES   1 3 APPLICATIONS /RZ5'6 RQ /RZ*DWH&KDUJH   MARKING B120SN08 XXXX 2 +LJKHIILFLHQF\SRZHUVXSSO\ 6HFRQGDU\V\QFKURQXVUHFWLILHU EQUIVALENT CIRCUIT B26108 'HYLFHFRGH Solid dot = Green molding compound device. if none, the normal device . XXXX = Code. MAXIMUM RATINGS ( Ta=25℃ unless otherwise noted ) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS 80 V Gate-Source Voltage VGS +20/-12 V Continuous Drain Current ID 120 A Pulsed Drain Current IDM 480 A Single Pulsed Avalanche Energy EAS 320 mJ 184 W Power Dissipation PD ① Thermal Resistance from Junction to Ambient RθJA 62.5 ℃/W Thermal Resistance from Junction to Case RθJC 0.68 ℃/W TJ Tstg -55~+150 ℃ Operating Junction and Storage Temperature Range ZZZMVFMHOHFFRP  Rev - 2. PDF
Документация на CJB120SN08 

Дата модификации: 30.06.2020

Размер: 3.66 Мб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    24 января 2023
    новость

    Полупроводниковая микроэлектроника JSCJ для беспроводных решений, систем безопасности и других применений

    КОМПЭЛ начал сотрудничество с компанией Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ), основной продукцией которой являются дискретные полупроводниковые компоненты и интегральные микросхемы. JSCJ основан в 2018 году в городе Нанкин (Китай) на базе... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)