CJB120SN08

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-263-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJB120SN08 V(BR)DSS N-Channel Power MOSFET RDS(on)TYP 3.0mΩ@10V 80V 4.1mΩ@4.5V TO-263-2L ID 120A DESCRIPTION 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 7KH &-B2608 XVHV VKLHOGHG JDWH WUHQFK WHFKQRORJ\ DQG GHVLJQ WR SURYLGH H[FHOOHQW 5'6 21  ZLWK ORZ JDWH FKDUJH ,W FDQ EHXVHGLQDZLGHYDU...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2632L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB040N08HGS (WAYON) PDFN8L5X6 в коробках 3000 шт
 
A+ WMB043N10HGS (WAYON) PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ STP310N10F7 (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N CH 100V 180A TO-220 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STP270N8F7 (ST) TO220AB 50 шт MOSFET N CH 80V 180A TO220 Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 80V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
A+ STH315N10F7-2 (ST) H2PAK2 1000 шт
 
A+ STH240N10F7-6 (ST) H2PAK6 в ленте 1000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 180A I(D), 100V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STP240N10F7 (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A+ STP150N10F7 (ST) TO220AB 50 шт
 
A+ STL130N8F7 (ST) POWERFLAT 3000 шт
 
A+ WMLL029NV8HGS (WAYON) в ленте 3000 шт
 
A+ STP315N10F7 (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Публикации 1

показать свернуть
24 января 2023
новость

Полупроводниковая микроэлектроника JSCJ для беспроводных решений, систем безопасности и других применений

КОМПЭЛ начал сотрудничество с компанией Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ), основной продукцией которой являются дискретные полупроводниковые компоненты и интегральные микросхемы. JSCJ основан в 2018 году в городе Нанкин (Китай) на базе... ...читать

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.