WMK028N08HGD

WMK028N08HGD 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK028N08HGD uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. Features  GD S TO-220 VDS = 80V, ID = 167A RDS(on) < 3.3m...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 10

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMLL029NV8HGS (WAYON)
 
в ленте 3000 шт
A+ JMSH1004AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ CJB3R0SN10B (JSCJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ JMSH1003NE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ WMK023N08HGS (WAYON)
 
1 шт
 
A+ WMJ020N10HGS (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ IRFP4468 (EVVO)
 

IRFP4468 (INFIN)
TO-247-3 в линейках 450 шт
 
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ±
A+ NCE85H25T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.