CXT5551

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors CXT5551 SOT-89-3L TRANSISTOR (NPN) FEATURES 1 Switching and amplification in high voltage z 1. BASE Applications such as telephony z Low current(max. 600mA) z High voltage(max.180V) 2. COLLECTOR 3. EMITTER Marking: 1G6 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 15

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ CXT5551 120-180 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ MMBT5551W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
 — — — —
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
— 3000 шт — — — —
A+ AD-CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ 2N5551-TA (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ CZT5551 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ CZT5551 80-250 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ MMBT5551-G (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 L (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 200-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт — — — —
A+ PZT5551G-B-AA3-R (UTC)
 
— 10 шт — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors CXT5551 SOT-89-3L TRANSISTOR (NPN) FEATURES 1 Switching and amplification in high voltage z 1. BASE Applications such as telephony z Low current(max. 600mA) z High voltage(max.180V) 2. COLLECTOR 3. EMITTER Marking: 1G6 MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current -Continuous 0.6 A PC Collector Power Dissipation 0.5 W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100μ A,IE=0 180 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA,IB=0 160 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=10 μ A,IC=0 6 V Collector cut-off current ICBO VCB=120V,IE=0 50 nA Emitter cut-off current IEBO VEB=4V,IC=0 50 nA hFE(1) VCE=5V,IC=1mA 80 hFE(2) VCE=5V,IC=10mA 100 hFE(3) VCE=5V,IC=50mA 30 VCE(sat) IC=10mA,IB=1mA 0.15 V VCE(sat) IC=50mA,IB=5mA 0.2 V VBE(sat) IC=10mA,IB=1mA 1 V VBE(sat) IC=50mA,IB=5mA 1 V DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter voltage Transition frequency fT Collector output capacitance Cob Noise figure NF www.jscj-elec.com VCE=10V,IC=10mA,f=100MHz VCB=10V,IE=0,f=1MHz VCE=5V,Ic=0.2mA, f=10Hzto15.7KHZ,Rs=10Ω 1 300 100 MHz 6 pF 8 dB Rev. - 2.0 PDF
Документация на CXT5551 

Microsoft Word - CXT5551 _SOT-89_.doc

Дата модификации: 18.05.2020

Размер: 634.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)