MMBT5551
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
MMBT5551
TRANSISTOR (NPN)
SOT–23
FEATURES
z Complementary to MMBT5401
z Ideal for Medium Power Amplification and Switching
MARKING: G1
1. BASE
G1=Device code
Solid dot = Green molding compound
device,if none,the normal device.
2. EMITTER
3. COLLECTOR
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Sym...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Серия: MMBT5551
- Истор. имя: MMBT5551 (DIODES)
- Корпус: SOT-23-3
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-23-3 | |
---|---|---|
Тип проводимости и конфигурация | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 22
показать свернутьФайлы 1
показать свернуть
Документация на серию MMBT5551
Microsoft Word - MMBT5551 SOT-23美的.doc
Дата модификации: 18.06.2021
Размер: 755 Кб
4 стр.
Публикации 4
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.