MMBT5551

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT5551 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES z Complementary to MMBT5401 z Ideal for Medium Power Amplification and Switching MARKING: G1 1. BASE G1=Device code Solid dot = Green molding compound device,if none,the normal device. 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Sym...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT5551 (SHIKUES)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 350 шт
 
P= MMBT5551 (YJ)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= MMBT5551Q (YJ)
 
 
P= MMBT5551 (YOUTAI)
 

MMBT5551 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
3000 шт
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ MMBT5551 200-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ MMBT5551 SOT-23 L (JSCJ)
 
 
A+ PZT5551G-B-AA3-R (UTC)
 
10 шт
A+ 2N5551-TA (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ CXT5551 120-180 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
A+ AD-CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ CZT5551 80-250 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ CZT5551 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223
A+ MMBT5551W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
A+ CXT5551 (JSCJ)
 
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT5551 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES z Complementary to MMBT5401 z Ideal for Medium Power Amplification and Switching MARKING: G1 1. BASE G1=Device code Solid dot = Green molding compound device,if none,the normal device. 2. EMITTER 3. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 600 mA PC Collector Power Dissipation 300 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 416 ℃/W -55~+150 ℃ RΘJA TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO Collector cut-off current ICBO Emitter cut-off current IEBO DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Min Typ Max Unit IC=100µA, IE=0 180 V IC=1mA, IB=0 160 V IE=10µA, IC=0 6 V VCB=120V, IE=0 50 nA VEB=4V, IC=0 50 nA hFE(1) * VCE=5V, IC=1mA 80 hFE(2) * VCE=5V, IC=10mA 100 hFE(3) * VCE=5V, IC=50mA 50 300 VCE(sat)1 * IC=10mA, IB=1mA 0.15 V VCE(sat)2 * IC=50mA, IB=5mA 0.2 V VBE(sat)1 * IC=10mA, IB=1mA 1 V VBE(sat)2 * IC=50mA, IB=5mA 1 V 300 MHz 6 pF fT Transition frequency Collector output capacitance * Test conditions Cob VCE=10V,IC=10mA, f=100MHz 100 VCB=10V, IE=0, f=1MHz *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. CLASSIFICATION OF hFE (2) www.jscj-elec.com RANK L H RANGE 100-200 200-300 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на MMBT5551 

Microsoft Word - MMBT5551 SOT-23美的.doc

Дата модификации: 18.06.2021

Размер: 755 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.