MMBT5551

UMW
UMW R UMW MMBT5551 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT5551 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES z Complementary to MMBT5401 z Ideal for Medium Power Amplification and Switching 1. BASE MARKING: G1 2. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VEBO Emitter-Bas...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид MMBT5551

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT5551 (YJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMBT5551Q (YJ)
 
— — — — —
P= MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 3000 шт — — — —
A+ CZT5551 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ 2N5551 TO-92 B150-200 (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ CXT5551 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ CXT5551 120-180 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ AD-CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ CZT5551 80-250 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ MMBT5551UMW (YOUTAI)
 
SOT-23-3 — — — —
A+ 2N5551-TA (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ MMBT5551 200-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ)
 
SOT-23-3 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 L (JSCJ)
 
SOT-23-3 — — — —
A+ MMBT5551-G (JSCJ)
 
SOT-23-3 — — — —
A+ UMW MMBT5551 (YOUTAI)
 
SOT-23-3 — — — —
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
— 3000 шт — — — —
A+ PZT5551G-B-AA3-R (UTC)
 
SOT-223 — — — —
A+ FHT5551-ME (FNR)
 
SOT-23-3 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R UMW MMBT5551 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT5551 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES z Complementary to MMBT5401 z Ideal for Medium Power Amplification and Switching 1. BASE MARKING: G1 2. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 600 mA PC Collector Power Dissipation 300 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 416 ℃/W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55～+150 ℃ RΘJA 3. COLLECTOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Symbol V(BR)CBO * Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO Collector cut-off current ICBO Emitter cut-off current IEBO hFE(1) DC current gain hFE(2) * hFE(3) Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage * Min Typ Max Unit IC=100µA, IE=0 180 V IC=1mA, IB=0 160 V IE=10µA, IC=0 6 V VCB=120V, IE=0 50 nA VEB=4V, IC=0 50 nA VCE=5V, IC=1mA 80 VCE=5V, IC=10mA 100 VCE=5V, IC=50mA 50 300 VCE(sat)1 * IC=10mA, IB=1mA 0.15 V VCE(sat)2 * IC=50mA, IB=5mA 0.2 V VBE(sat)1 * IC=10mA, IB=1mA 1 V VBE(sat)2 * IC=50mA, IB=5mA 1 V 300 MHz 6 pF fT Transition frequency Collector output capacitance * Test conditions Cob VCE=10V,IC=10mA, f=100MHz 100 VCB=10V, IE=0, f=1MHz *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. CLASSIFICATION OF hFE (2) RANK L H RANGE 100-200 200-300 www.umw-ic.com 1 友台半导体有限公司 PDF
Документация на MMBT5551 

UMW MMBT5551

Дата модификации: 29.05.2023

Размер: 662.4 Кб

3 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    17 июля 2023
    новость

    Решения на базе компонентов JSCJ для обвязки счетчика электроэнергии

    Сегодня мы уже практически не представляем себе жизнь без электричества. Количество разнообразной бытовой техники и электроники неуклонно растет. Грамотное управление потреблением энергии – залог не только бесперебойной работы энергосети в целом,... ...читать

    16 августа 2022
    новость

    Компоненты UMW – на складе Компэл

    На склад Компэл поступила партия компонентов UMW (Youtai). Компания UMW специализируется на производстве полных аналогов популярных микросхем и дискретных компонентов. В номенклатуре UMW можно найти полные аналоги интегральных... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-40 (YJ)