MMBT5551

UMW
UMW R UMW MMBT5551 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT5551 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES z Complementary to MMBT5401 z Ideal for Medium Power Amplification and Switching 1. BASE MARKING: G1 2. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VEBO Emitter-Bas...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид MMBT5551

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT5551 (JSCJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMBT5551 (YJ)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= MMBT5551L (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
P= MMBT5551 (SHIKUES)
 

MMBT5551 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 350 шт
 
 — — — — —
P= MMBT5551H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 L[100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ 2N5551 (DC)
 

2N5551 (SAMSUNG) 		TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — —
A+ MMBT5551 200-300 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 H (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 SOT-23 L (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551 [200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551L[100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ MMBT5551[RANGE:100-200] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ CZT5551 80-250 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ MMST5551 (JSCJ)
 
— 3000 шт — — — —
A+ MMBT5551[RANGE:200-300] (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ PZT5551G-B-AA3-R (UTC)
 
— 10 шт — — — —
A+ MMBT5551W (SHIKUES)
 
SOT-323-3
 
 — — — —
A+ AD-CZT5551 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ CZT5551 SOT-223 (JSCJ)
 
SOT-223 — — — —
A+ CXT5551 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ 2N5551-TA (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
UMW R UMW MMBT5551 SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT5551 TRANSISTOR (NPN) SOT–23 FEATURES z Complementary to MMBT5401 z Ideal for Medium Power Amplification and Switching 1. BASE MARKING: G1 2. EMITTER MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 180 V VCEO Collector-Emitter Voltage 160 V VEBO Emitter-Base Voltage 6 V IC Collector Current 600 mA PC Collector Power Dissipation 300 mW Thermal Resistance From Junction To Ambient 416 ℃/W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55～+150 ℃ RΘJA 3. COLLECTOR ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Collector-base breakdown voltage Symbol V(BR)CBO * Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO Collector cut-off current ICBO Emitter cut-off current IEBO hFE(1) DC current gain hFE(2) * hFE(3) Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage * Min Typ Max Unit IC=100µA, IE=0 180 V IC=1mA, IB=0 160 V IE=10µA, IC=0 6 V VCB=120V, IE=0 50 nA VEB=4V, IC=0 50 nA VCE=5V, IC=1mA 80 VCE=5V, IC=10mA 100 VCE=5V, IC=50mA 50 300 VCE(sat)1 * IC=10mA, IB=1mA 0.15 V VCE(sat)2 * IC=50mA, IB=5mA 0.2 V VBE(sat)1 * IC=10mA, IB=1mA 1 V VBE(sat)2 * IC=50mA, IB=5mA 1 V 300 MHz 6 pF fT Transition frequency Collector output capacitance * Test conditions Cob VCE=10V,IC=10mA, f=100MHz 100 VCB=10V, IE=0, f=1MHz *Pulse test: pulse width ≤300μs, duty cycle≤ 2.0%. CLASSIFICATION OF hFE (2) RANK L H RANGE 100-200 200-300 www.umw-ic.com 1 友台半导体有限公司 PDF
Документация на MMBT5551 

UMW MMBT5551

Дата модификации: 29.05.2023

Размер: 662.4 Кб

3 стр.

    Публикации 5

    показать свернуть
    30 октября 2024
    новость

    Электронные компоненты китайских производителей для построения домашних накопителей энергии

    Помимо заводских цехов и офисов, накопители электроэнергии на основе аккумуляторов большой емкости все чаще встречаются в быту. Они решают такие задачи, как: накопление электроэнергии от устройств «зеленой» генерации (солнечных панелей, ветряков)... ...читать

    11 октября 2024
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    17 июля 2023
    новость

    Решения на базе компонентов JSCJ для обвязки счетчика электроэнергии

    Сегодня мы уже практически не представляем себе жизнь без электричества. Количество разнообразной бытовой техники и электроники неуклонно растет. Грамотное управление потреблением энергии – залог не только бесперебойной работы энергосети в целом,... ...читать

    16 августа 2022
    новость

    Компоненты UMW – на складе Компэл

    На склад Компэл поступила партия компонентов UMW (Youtai). Компания UMW специализируется на производстве полных аналогов популярных микросхем и дискретных компонентов. В номенклатуре UMW можно найти полные аналоги интегральных... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-40 (YJ)