MMBT5551
UMW
R
UMW MMBT5551
SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors
MMBT5551
TRANSISTOR (NPN)
SOT–23
FEATURES
z Complementary to MMBT5401
z Ideal for Medium Power Amplification and Switching
1. BASE
MARKING: G1
2. EMITTER
MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted)
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-Base Voltage
180
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
160
V
VEBO
Emitter-Bas...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: Биполярный транзистор
- Истор. имя: MMBT5551 (DIODES)
- Корпус: SOT-23-3
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOT-23-3 | |
---|---|---|
Тип проводимости и конфигурация | ||
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 22
показать свернутьФайлы 1
показать свернутьПубликации 5
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.