MMBT2907A

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT2907A TRANSISTOR (PNP) SOT-23 FEATURES z z Epitaxial planar die construction Complementary NPN Type available(MMBT2222A) 1. BASE Marking: 2F 2. EMITTER 3. COLLECTOR Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. 2F MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 29

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= MMBT2907A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= MMBT2907A (SHIKUES)
 
SOT-23-3 1500 шт
 
P= MMBT2907AQ (YJ)
 
 
P= S-LMBT2907ALT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
A+ BC857CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
A+ BC858CW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
A+ BC858C (YJ)
 

BC858C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC858B (YJ)
 

BC858B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC857AW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
A+ BC857CT (YJ)
 
SOT-523 3000 шт
 
A+ BC857C (YJ)
 

BC857C (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC857BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC857A (YJ)
 

BC857A (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BC857W (JSCJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
A+ BC857 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2SA1037-Q (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BC858 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC857B (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BC858A (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BC857BQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC857B (JSCJ)
 
 
A+ BC857A (JSCJ)
 

BC857A (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ BC857 3F SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
A+ BC857 3E SOT-23 (JSCJ)
 
100 шт
 
A+ BC857B (YOUTAI)
 
10 шт
 
A+ 2SA1576A-Q (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
A+ BC858AW (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
A+ 2SA1576A-R (YJ)
 
SOT-323-3 3000 шт
 
A+ BC857C (YOUTAI)
 

BC857C (ONS-FAIR)
в ленте 1100 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-23 Plastic-Encapsulate Transistors MMBT2907A TRANSISTOR (PNP) SOT-23 FEATURES z z Epitaxial planar die construction Complementary NPN Type available(MMBT2222A) 1. BASE Marking: 2F 2. EMITTER 3. COLLECTOR Solid dot = Green molding compound device, if none,the normal device. 2F MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Unit V VCBO Collector-Base Voltage -60 VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Base Voltage -5 V IC Collector Current -Continuous -600 mA PD Total Device Dissipation 250 mW RθJA Thermal Resistance Junction to Ambient 500 ℃/W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55 to +150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=-10μA,IE=0 -60 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO* IC=-10mA,IB=0 -60 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=-10μA,IC=0 -5 V Collector cut-off current ICBO VCB=-50V,IE=0 -20 nA Base cut-off current IEBO VEB=-3V, IC =0 -10 nA Collector cut-off current ICEX VCE=-30 V, VBE(off) =-0.5V -50 nA hFE(1) VCE=-10V,IC=-150mA 100 hFE(2) VCE=-10V,IC=-0.1mA 75 hFE(3) VCE=-10V,IC=-1mA 100 hFE(4) VCE=-10V,IC=-10mA 100 hFE(5) VCE=-10V,IC=-500mA 50 VCE(sat)* IC=-150mA,IB=-15mA -0.4 V VCE(sat)* IC=-500mA,IB=-50mA -1.6 V VBE(sat)* IC=-150mA,IB=-15mA -1.3 V VBE(sat)* IC=-500mA,IB=-50mA -2.6 V DC current gain Collector-emitter saturation voltage Base-emitter saturation voltage Transition frequency fT Delay time td Rise time tr Storage time tS Fall time tf VCE=-20V,IC=-50mA,f=100MHz VCE=-30V,IC=-150mA,B1=-15mA VCE=-6V,IC=-150mA, IB1=- IB2=- 15mA 300 200 MHz 10 ns 25 ns 225 ns 60 ns * pulse test: Pulse Width ≤300μs, Duty Cycle≤2.0%. www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.1 PDF
Документация на MMBT2907A 

Microsoft Word - MMBT2907A_SOT-23_.doc

Дата модификации: 19.10.2021

Размер: 1.27 Мб

4 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    30 октября
    новость

    Электронные компоненты китайских производителей для построения домашних накопителей энергии

    Помимо заводских цехов и офисов, накопители электроэнергии на основе аккумуляторов большой емкости все чаще встречаются в быту. Они решают такие задачи, как: накопление электроэнергии от устройств «зеленой» генерации (солнечных панелей, ветряков)... ...читать

    11 октября
    статья

    Реализация узла управления реле на базе компонентов SUNCO

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Для коммутирования как слаботочных сигналов, так и силовых цепей необходима надежная работа качественных электромеханических и полупроводниковые реле, например, выпускаемых компанией Hongfa. Подобрать... ...читать

    30 января 2024
    новость

    Широкий ассортимент дискретных компонентов JSCJ поступил на склад КОМПЭЛ

    Jiangsu Changjing Technology Co., Ltd. (JSCJ) – один из крупнейших китайских разработчиков и производителей полупроводников. Компания самостоятельно разрабатывает и выпускает полупроводниковые пластины для большей части номенклатуры, благодаря... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.