Вход / Регистрация

PXT8050

JSCJ
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors PXT8050 SOT-89-3L TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Compliment to PXT8550 1. BASE MARKING: Y1 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ 2SC2655 (JSCJ)
 
TO-92L-3 TO-92MOD
 
 — — — —
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ PBSS4350X (YJ)
 
SOT-89 1000 шт
 
 — — — —
A+ SS8050-HQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — —
A+ 2SC1766 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SC2873 (JSCJ)
 
— 15 шт
 
 — — — —
A+ 2SC2873 120-240 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
 — — — —
A+ 2SC2655-TA (JSCJ)
 
TO-92L-3 TO-92MOD
 
 — — — —
A+ 2SC3303 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ 2SC3303 TO-252-2L (JSCJ)
 
TO2522L
 
 — — — —
A+ MPS651 (JSCJ)
 

MPS651 (DIODES) 		TO-92-3 2000 шт — — — —
A+ 2SC3650 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ MPS651-TA (JSCJ)
 
TO-92-3 — — — —
A+ 2SC4672 (JSCJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт
 
 — — — —
A+ 2SC4672 SOT-89 180-390 (JSCJ)
 
SOT- 89-3L
 
 — — — —
A+ PXT8050 200-350 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ PXT8050 SOT-89-3L 200-350 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ 2SC554 (JSCJ)
 
— в ленте 1000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-89-3L Plastic-Encapsulate Transistors PXT8050 SOT-89-3L TRANSISTOR (NPN) FEATURES z Compliment to PXT8550 1. BASE MARKING: Y1 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 1.5 A PC Collector Power dissipation 0.5 W RΘJA Thermal Resistance From Junction To Ambient 250 ℃/W TJ,Tstg Operation Junction and Storage Temperature Range -55~150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Test conditions Min Typ Max Unit Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC=100uA, IE=0 40 V Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=0.1mA, IB=0 25 V Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100μA, IC=0 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=40V, IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current ICEO VCE=20V, IE=0 0.1 μA Emitter cut-off current IEBO VEB=5V, IC=0 0.1 μA hFE(1) VCE=1V, IC=100mA 85 hFE(2) VCE=1V, IC=800mA 40 DC current gain 400 Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=800mA, IB=80mA 0.5 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=800mA, IB=80mA 1.2 V 1 V 1.55 V Base-emitter voltage VBE VCE=1V, IC=10mA Base-emitter positive favor voltage VBEF IB=1A Transition frequency fT output capacitance Cob VCE=10V,IC=50mA,f=30MHz 100 MHz VCB=10V,IE=0,f=1MHz 15 pF CLASSIFICATION OF hFE(1) Rank Range www.jscj-elec.com B C D D3 85-160 120-200 160-300 300-400 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на PXT8050 

Microsoft Word - PXT8050_SOT-89_.doc

Дата модификации: 18.05.2020

Размер: 787.6 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BC807-25 (YJ)