L2SA1576AQT1G

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ UMT1N (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 3000 шт
 
A+ UMT2N (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363
 
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
 
A+ EMT1 (JSCJ)
 
SOT-563 3000 шт
 
A+ A1015 200-400 (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ 2SA1873 (JSCJ)
 
SOT353
 
A+ 2SB1440 (JSCJ)
 
 
A+ L2SA1576ART1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA1774QT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA1774RT1G (LRC)
 
 
A+ L2SA812RLT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA812SLT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ LBSS5250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
A+ LBTP560Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
A+ LBTP660Z4TZHG (LRC)
 
 
A+ LH8550QLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP
A+ LMBTA55LT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
A+ LMBTA56LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 145 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.