L2SA1774QT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors L2SA1774QT1G Series S-L2SA1774QT1G Series PNP Silicon z S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. z We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. z DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Marking Shipping L2S...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ UMT1N (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363 3000 шт
 
A+ UMT2N (JSCJ)
 
SOT-323-6 SOT363
 
A+ MMSTA92 (JSCJ)
 
 
A+ EMT1 (JSCJ)
 
SOT-563 3000 шт
 
A+ A1015 200-400 (JSCJ)
 
TO-92-3
A+ 2SA1873 (JSCJ)
 
SOT353
 
A+ 2SB1440 (JSCJ)
 
 
A+ L2SA1576ART1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA1576AQT1G (LRC)
 
 
A+ L2SA1774RT1G (LRC)
 
 
A+ L2SA812RLT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ L2SA812SLT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 1-Element, PNP
A+ LBSS5250Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
A+ LBTP560Y3T1G (LRC)
 
SOT-89
 
A+ LBTP660Z4TZHG (LRC)
 
 
A+ LH8550QLT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP
A+ LMBTA55LT1G (LRC)
 
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
A+ LMBTA56LT1G (LRC)
 
SOT-23-3 в ленте 145 шт
 
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

Файлы 1

показать свернуть
LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors L2SA1774QT1G Series S-L2SA1774QT1G Series PNP Silicon z S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. z We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. z DEVICE MARKING AND ORDERING INFORMATION Marking Shipping L2SA1774QT1G S-L2SA1774QT1G L2SA1774QT3G S-L2SA1774QT3G FQ 3000/Tape&Reel FQ 10000/Tape&Reel L2SA1774RT1G S-L2SA1774RT1G L2SA1774RT3G S-L2SA1774RT3G L2SA1774ST1G S-L2SA1774ST1G FR 3000/Tape&Reel FR 10000/Tape&Reel FS 3000/Tape&Reel FS 10000/Tape&Reel Device L2SA1774ST3G S-L2SA1774ST3G SC-89 COLLECTOR 3 1 BASE !Absolute maximum ratings (Ta=25°C) Symbol Limits Unit Collector-base voltage VCBO −60 V Collector-emitter voltage VCEO −50 V Emitter-base voltage Parameter VEBO −6 V Collector current IC −0.15 A (DC) Collector power dissipation PC 0.15 W Junction temperature Tj 150 ˚C Storage temperature Tstg −55~+150 ˚C 2 EMITTER !Electrical characteristics (Ta=25°C) Parameter Symbol Collector-base breakdown voltage BVCBO Collector-emitter breakdown voltage BVCEO Emitter-base breakdown voltage Typ. Max. Unit −60 − − V −50 − − V IC=−1µA BVEBO −6 − − V IE=−50µA Collector cutoff current ICBO − − −0.1 µA VCB=−60V Emitter cutoff current IEBO − − −0.1 µA VEB=−6V VCE(sat) − − −0.5 V IC/IB=−50mA/−5mA hFE 120 − 560 − VCE=−6V, IC=−1mA Transition frequency fT − 140 − MHz Output capacitance Cob − 4.0 5.0 pF Collector-emitter saturation voltage DC current transfer ratio Min. Conditions IC=−50µA VCE=−12V, IE=2mA, f=30MHz VCB=−12V, IE=0A, f=1MHz ! hFE values are classified as follows: Item Q R S hFE 120~270 180~390 270~560 Rev.O 1/3 PDF
Документация на L2SA1774QT1G 

2SA1037AK / 2SA1576A / 2SA1774 / 2SA2029 / 2SA933AS

Дата модификации: 22.08.2012

Размер: 251.3 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.