NCE0117I
NCE0117I
http://www.ncepower.com
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
The NCE0117I uses advanced trench technology and
design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It
can be used in a wide variety of applications.
General Features
● VDS =100V,ID =17A
Schematic diagram
RDS(ON) < 48mΩ @ VGS=10V (Typ:42mΩ)
RDS(ON) < 53mΩ @ VGS=4.5V
(Typ:44mΩ)
● High dens...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO251
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | TO251 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
Заряд затвора | ||
Рассеиваемая мощность |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 18
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | CJD80SN10S (JSCJ) | TO251 | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
P= | CS14N10A3 (CRMICRO) | TO251 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P= | WMP119N10LG2 (WAYON) | TO251 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | YJG18N10A (YJ) | PDFN8L5X6 | в ленте 5000 шт | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | — | ||||||||||||
A+ | JMSL1040AG-13 (JIEJIE) | PDFN8L5X6 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | WMQ175N10LG2 (WAYON) | PDFN8L3X3 | в ленте 3000 шт | — | — | — | |||||||||||
A+ | JMSL1040AUQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | CJU30N10 (JSCJ) | TO2522L | ± | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMSL1018AUQ-13 (JIEJIE) | PDFN8L3X3 | 5000 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | JMTK320N10A (JIEJIE) | TO252 | 2500 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | IRFR540Z (EVVO) | TO252 | в ленте 2500 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | IRF540NS (EVVO) IRF540NS (INFIN) | TO263 | в ленте 800 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | IRF530NS (JSMICRO) IRF530NS (INFIN) | TO263 | в ленте 50 шт | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | NCE0130KA (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | NCE0130GA (NCE) | DFN-8 | в ленте 5000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | NCE0117 (NCE) | TO-220-3 | в линейках 1000 шт | ± | — | — | — | — | |||||||||
A+ | JMTC320N10A (JIEJIE) | TO2203L | в линейках 50 шт | — | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCE0117K (NCE) | TO252 | ± | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на NCE0117I
NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:
Дата модификации: 07.04.2023
Размер: 677.2 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.