CJU30N10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU30N10 N-Channel Power MOSFET ID RDS(on)TYP V(BR)DSS 30A 24mΩ@10V 100V TO-252-2L DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighe...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2522L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJD45G10A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ NCEP11N10AK (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ WMO175N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMB175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMO175N10LG2 (WAYON)
 
TO252
 
A+ YJD45G10AQ (YJ)
 
A+ YJQ40G10A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ YJG60G10B (YJ)
 
 
A+ YJG40G10A (YJ)
 
10 шт
 
A+ CS55N10A4 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
A+ YJF50G10H (YJ)
 
ITO220AB в линейках 50 шт
A+ JMTC320N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ NCE0130GA (NCE)
 
DFN-8 в ленте 5000 шт
 
±
A+ JMTC170N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ IRFR4510TR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ IRF3710 (YOUTAI)
 

IRF3710 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WML099N10HGS (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WMK175N10LG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK175N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB175N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ CJU50SN10 (JSCJ)
 
TO2522L 5 шт
 
±

Файлы 1

показать свернуть
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU30N10 N-Channel Power MOSFET ID RDS(on)TYP V(BR)DSS 30A 24mΩ@10V 100V TO-252-2L DESCRIPTION This advanced high voltage MOSFET is designed to stand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode fast recovery time. Desighed for high 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 2 1 3 voltage, high speed switching applications such as power supplies, converters, power motor controls and bridge circuits. FEATURES  High density cell design for ultra low RDS(on)  Special process technology for high ESD capability  Fully characterized avalanche voltage and current  Excellent package for good heat dissipation  Good stability and uniformity with high EAS  Power switching application APPLICATIONS  Hard switched and high frequency circuits  Uninterruptible power supply MARKING U30N U N10 XXXX EQUIVALENT CIRCUIT U30N10 = Device code. Solid dot = Green molding compound device if none, the normal device. XXXX = Code. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit 'UDLQ6RXUFH9ROWDJH 9'6 100 9 *DWH6RXUFH9ROWDJH 9*6 “ 9 30 $ ① &RQWLQXRXV'UDLQ&XUUHQW ,' 3XOVHG'UDLQ&XUUHQW ,'0 120 $ ③ 156 P- ① 85 : 100 ℃: ② 6LQJOH3XOVHG$YDODQFKH(QHUJ\ ($6 0D[LPXP3RZHU'LVVLSDWLRQ 3' 7KHUPDO5HVLVWDQFHIURP-XQFWLRQWR$PELHQW 5ș-$ Thermal Resistance from Junction to Case RθJC 1.47 ℃/W TJ ,Tstg -55~+150 ℃ ⑥ ① Operating Junction and Storage Temperature Range www.jscj-elec.com 1 Rev. - 2.0 PDF
Документация на CJU30N10 

Дата модификации: 17.09.2020

Размер: 1.16 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.