NCE0130GA

NCE0130GA http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0130GA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID =30A RDS(ON) < 32mΩ @ VGS=10V (Typ:25mΩ) RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=4.5V (Typ:28mΩ) Application ● Special proce...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- YJG40G10B (YJ)
 
в ленте 20000 шт
 
A+ CS55N10A4 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
A+ YJF50G10H (YJ)
 
ITO220AB в линейках 50 шт
A+ JMSL1008AUN-13 (JIEJIE)
 
5000 шт
 
A+ CJU50SN10 (JSCJ)
 
TO2522L 5 шт
 
±
A+ WMB175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMB119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMO175N10LG2 (WAYON)
 
TO252
 
A+ YJD45G10AQ (YJ)
 
A+ YJQ40G10A (YJ)
 
DFN83X3 в ленте 5000 шт
 
A+ YJG60G10B (YJ)
 
 
A+ YJG40G10A (YJ)
 
10 шт
 
A+ YJD45G10A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
A+ WMO175N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ NCEP11N10AK (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
A+ JMTC170N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
A+ IRFR4510TR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ IRF3710 (YOUTAI)
 

IRF3710 (INFIN)
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WML099N10HGS (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WMK175N10LG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMK175N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
A+ WMB175N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ WMQ119N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
A+ JMSL1010AU-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
NCE0130GA http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0130GA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID =30A RDS(ON) < 32mΩ @ VGS=10V (Typ:25mΩ) RDS(ON) < 35mΩ @ VGS=4.5V (Typ:28mΩ) Application ● Special process technology for high ESD capability ● Power switching application ● High density cell design for ultra low Rdson ● Hard switched and high frequency circuits ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Uninterruptible power supply ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! DFN 5X6 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCE0130GA NCE0130GA DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Limit Unit VDS Drain-Source Voltage 100 V VGS Gate-Source Voltage ±20 V Drain Current-Continuous 30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) 21 A IDM Pulsed Drain Current 120 A PD Maximum Power Dissipation 85 W Derating factor 0.68 W/℃ Single pulse avalanche energy (Note 5) 200 mJ -55 To 150 ℃ 1.5 ℃/W ID ID (100℃) EAS TJ,TSTG Parameter Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic RθJC Wuxi NCE Power Co., Ltd Thermal Resistance, Junction-to-Case (Note 2) Page 1 v1.0 PDF
Документация на NCE0130GA 

Microsoft Word - NCE0130GA data sheet.doc

Дата модификации: 19.01.2020

Размер: 364.9 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта 2024
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.