YJG18N10A

Yangjie
RoHS YJG18N10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 18A ＜60mohm ＜70mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epo...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJAC80SN10 (JSCJ)
 
— 100 шт
 
 ± — — — — —
P- JMSH1008AG (JIEJIE)
 
—
 
 — — — —
P- WMM071N15HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
P- IRFH5010TRPBF (JSMICRO)
 

IRFH5010TRPBF (INFIN) 		— в ленте 120 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WMM053N10HGS (WAYON)
 
TO263 800 шт
 
 — — — — —
P- NCEP090N10GU (NCE)
 
—
 
 ± — — —
P- IRFH5010TRPBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ JMSL1018AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL1018AUQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL1040AG-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —
A+ JMSL1040AUQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
 — — — —
A+ CJU30N10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ WMO25N10T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK25N10T1 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ CRTD360N10L (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт — — —
A+ WML125N12LG2 (WAYON)
 
TO220F
 
 — — — — — —
A+ WMQ175N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ IRFR540Z (EVVO)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ IRFR3410 (EVVO)
 

IRFR3410 (INFIN) 		TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ IRF540NS (EVVO)
 

IRF540NS (INFIN) 		TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
A+ IRF530NS (JSMICRO)
 

IRF530NS (INFIN) 		TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
A+ NCE0130KA (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — — —
A+ NCE0130GA (NCE)
 
DFN-8 в ленте 5000 шт
 
 ± — — — —
A+ NCE0117 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
A+ JMTC320N10A (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS YJG18N10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 18A ＜60mohm ＜70mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 3 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Backlighting ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 3.5 TA=25℃ 2 TA=100℃ Drain Current ID A 18 TC=25℃ 11.4 TC =100℃ Pulsed Drain Current Unit A IDM 75 A 2 TA=25℃ 0.8 TA=100℃ Total Power DissipationB PD W TC=25℃ 45 TC =100℃ 18 Single Pulse Avalanche Energy C EAS 12.5 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case RθJC 2.8 ℃/ W Thermal Resistance Junction-to-Ambient D RθJA 60 ℃/ W Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG18N10A F1 YJG18N10A 5000 10000 100000 13“ reel 1/7 S-E640 Rev.3.4,14-Jun-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG18N10A 

Дата модификации: 17.06.2022

Размер: 764.2 Кб

7 стр.

RoHS YJG18N10A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 18A ＜60 mohm ＜70 mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) Applications ● DC-DC Converters ● Power management functions ● Backlighting ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TC=25℃ Drain Current 18 ID TC=100℃ Unit A 11.4 Pulsed Drain Current A IDM 75 A Total Power Dissipation @ TC=25℃ PD 30 W Single Pulse Avalanche Energy B EAS 32 mJ Thermal Resistance Junction-to-Case RθJC 4.1 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJG18N10A F1 YJG18N10A 5000 10000 100000 13“ reel 1/6 S-D043 Rev.2.0,25-Dec-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJG18N10A 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 04.09.2019

Размер: 558.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)