JMTC170N10A

JIEJIE
JMTC170N10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  100V,59A RDS(ON)<20mΩ @ VGS =10V  Load Switch  PWM Application  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free TO-220C-3L top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO2203L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 34

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WML099N10HGS (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- NCE0130A (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — — —
P- CJPF130SN10 (JSCJ)
 
TO220F
 
 ± — — — — —
P- YJP45G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — —
P- YJP70G10B (YJ)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — —
P- YJF50G10H (YJ)
 
ITO220AB в линейках 50 шт — —
P- WMK175N10LG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — — —
P- WMK099N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
P- WMK100N10TS (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
P- NCE0157A2 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — — —
P- IRF3710Z (EVVO)
 

IRF3710Z (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт — — — — —
P- WMK175N10LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
P- IRF540ZPBF-VB (VBSEMI)
 
TO220AB
 
 — — — — — — — — — — — —
P- CS3710B8 (CRMICRO)
 
TO220AB
 
 — — —
A+ WMO099N10LGS (WAYON)
 
TO252 1 шт
 
 — — —
A+ WMK060N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — —
A+ WMB099N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 3000 шт
 
 — — —
A+ WMB080N10HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB072N12LG2-S (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMB072N12LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — —
A+ WMB060N10LGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — —
A+ WMB060N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WMO119N12LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMM060N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMO080N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A+ CS55N10A4 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт — — —
A+ CRTT088N10N (CRMICRO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ WMB080N10HG4 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — —
A+ IRFB4410Z (EVVO)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ WMO099N10HGS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ IRLR3110ZTR (YOUTAI)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
A+ JMSH1008AE (JIEJIE)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — —
A+ NCEP065N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 ± — — —
A+ WMB099N10LG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTC170N10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application  100V,59A RDS(ON)<20mΩ @ VGS =10V  Load Switch  PWM Application  Power Management  Advanced Trench Technology  Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free TO-220C-3L top view 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! Marking and pin Assignment Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package TUBE (pcs) Inner BOX (pcs) Per Carton (pcs) JMTC170N10A JMTC170N10A TUBE TO-220C-3L 50 1000 5000 Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage 100 V VGSS Gate-Source Voltage ±25 V TC = 25℃ 59 A TC = 100℃ 38 A 236 A 108 mJ 146 W 1 ℃/W -55 to +175 ℃ ID Continuous Drain Current IDM Pulsed Drain Current note1 EAS Single Pulsed Avalanche Energy PD Power Dissipation RθJC TJ, TSTG note2 TC = 25℃ Thermal Resistance, Junction to Case Operating and Storage Temperature Range JieJie Microelectronics Co.,Ltd. Version : 1.1 -1- PDF
Документация на JMTC170N10A 

Power MOSFET Chip Datasheet Keywords:

Дата модификации: 23.11.2022

Размер: 405.1 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    06 марта 2024
    новость

    Низковольтные MOSFET JJMicroelectronics доступны со склада КОМПЭЛ

    Компания JieJie Microelectronics Co., Ltd. (JJMicroelectronics) – известный китайский производитель дискретных полупроводников и силовых модулей. Она была основана в г. Цидун в 1995 году и производит MOSFET–транзисторы, диодные и... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)