NCE1504R

NCE1504R http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE1504R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 150V,ID = 4A Schematic diagram RDS(ON) < 180mΩ @ VGS=10V (Typ:140mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJT04N15 (JSCJ)
 
SOT-223 10 шт ±
P- WMT04N15T1 (WAYON)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
A+ WMS690N15HG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ WMS06N15T2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
A+ NCE0203S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
A+ NCEP1505S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
A+ JMSH1552AP-13 (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Документация на NCE1504R 

Microsoft Word - NCE1504R data sheet.doc

Дата модификации: 10.06.2020

Размер: 357.1 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.