CJT04N15

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJT04N15 N-Channel Power MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 150V 160mΩ@10V 4A SOT-223 GENERAL DESCRIPTION This CJT04N15 use advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications. 1 1. GATE 2. DRAIN 3. SOURCE 2 3 FEATUR...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMT04N15T1 (WAYON)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт
A+ JMSH1552AP-13 (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 2500 шт
 
A+ LNB8936DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8930DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LN7925DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN4960T1G (LRC)
 
SOP-8
 
±
A+ LN05N15TZHG (LRC)
 
SOT-223 ±
A+ WMS690N15HG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ WMS06N15T2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
A+ NCEP1505S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ±
A+ LNB8960DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.