NCE6005AN

NCE
NCE6005AN http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6005AN uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS=60V,ID=5A Schematic diagram RDS(ON) <30mΩ @ VGS=10V (Typ.26mΩ) RDS(ON) <38mΩ @ VGS=4.5V (Typ.32mΩ) ● High density c...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT236L
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS09N06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — — — — —
A+ JMTP170N06A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
A+ TSM4436CS RLG (TSC)
 
TS6P 2500 шт
 
 — —
A+ WMR140NV6LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ YJS4438A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 — —
A+ IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ IRF7351 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт — — — — —
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCE6005AN http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE6005AN uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS=60V,ID=5A Schematic diagram RDS(ON) <30mΩ @ VGS=10V (Typ.26mΩ) RDS(ON) <38mΩ @ VGS=4.5V (Typ.32mΩ) ● High density cell design for ultra low Rdson ● Fully characterized avalanche voltage and current ● Good stability and uniformity with high EAS ● Excellent package for good heat dissipation ● Special process technology for high ESD capability Application ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply Marking and pin assignment SOT23-6L top view Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity 6005AN NCE6005AN-S SOT23-6L Ø180mm 8 mm 3000 units Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 5 A ID (100℃) 3.5 A Pulsed Drain Current IDM 24 A Maximum Power Dissipation PD 2 W TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJA 62.5 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Ambient (Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 V4.0 PDF
Документация на NCE6005AN 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 05.09.2022

Размер: 707.2 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    14 марта 2024
    новость

    На складе КОМПЭЛ готовы к заказу дискретные полупроводники NCE

    Продукция китайского фаблесс–производителя дискретных полупроводниковых компонентов Wuxi New Clean Energy Co., Ltd. (NCE) пополнила склад КОМПЭЛ (таблица 1). Компания NCE была основана в 2013 году в городе Уси и сейчас фокусируется на... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)