Вход / Регистрация

YJS4438A

SUNCO
RoHS YJS4438A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 60V 8.2A ＜22mohm ＜34mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ●High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratin...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJS05N06A
Внешний вид YJS05N06A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE6008AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 1200 шт ± — — — —
P- JMTP170N06A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
P- WMS08N06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- CJQ07N10 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 ± — — — — —
P- NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
P- CRTE200N06L2D-G (CRMICRO)
 
SOP8L
 
 — — —
P- AUIRF7341QTR (JSMICRO)
 

AUIRF7341QTR (INFIN) 		—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
A+ NCE6009AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
A+ WMS076N06LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ HGE090N06A (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
A+ CRTE120N06L (CRMICRO)
 
SOP-8
 
 — — —
A+ NCE6012AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ± — — — —
A+ WMS098DN06LG2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — — — — —
A+ S-LN7266DT1WG (LRC)
 
—
 
 ± — — — — — —
A+ CJQ12SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ CJQ14SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
A+ UTM6016G-SO8-R (UTC)
 
SOP-8
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS4438A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 60V 8.2A ＜22mohm ＜34mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ●High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 8.2 TA=25℃ Drain Current A ID A 6.6 TA=70℃ Pulsed Drain Current B IDM 39 A 3.1 TA=25℃ Total Power Dissipation PD W 2 TA=70℃ t≤ 10s 40 Thermal Resistance Junction-to-Ambient ℃/ W RθJA Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case 75 Steady-State Junction and Storage Temperature Range RθJL 30 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS4438A F2 Q4438 4000 8000 64000 13“ reel 1/7 S-E630 Rev.3.0,30-Jun-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS4438AF2 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 30.09.2020

Размер: 661.6 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)