YJS4438A

Yangjie
RoHS YJS4438A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 60V 8.2A ＜22mohm ＜34mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ●High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratin...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJS05N06A
Внешний вид YJS05N06A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CRTE200N06L2D-G (CRMICRO)
 
SOP8L
 
 — — —
P- CJQ07N10 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
 ± — — — — —
P- NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — —
P- NCE6008AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 1200 шт ± — — — —
P- WMS08N06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
P- JMTP170N06A (JIEJIE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
 — — — —
P- IRF7478 (EVVO)
 

IRF7478 (INFIN) 		SOP-8 в ленте 3000 шт
 
 — — — — —
P- AUIRF7341QTR (JSMICRO)
 

AUIRF7341QTR (INFIN) 		—
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ WMS076N06LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
 — — —
A+ CJQ14SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт ± — — — — —
A+ CJQ12SN06 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
 ± — — — — —
A+ WMS090NV6LG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJS4438A COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS= 10V) ● RDS(ON)( at VGS= 4.5V) 60V 8.2A ＜22mohm ＜34mohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ●High density cell design for Low RDS(ON) ● High Speed switching Applications ● Battery protection ● Load switch ● Power management ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 60 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 8.2 TA=25℃ Drain Current A ID A 6.6 TA=70℃ Pulsed Drain Current B IDM 39 A 3.1 TA=25℃ Total Power Dissipation PD W 2 TA=70℃ t≤ 10s 40 Thermal Resistance Junction-to-Ambient ℃/ W RθJA Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case 75 Steady-State Junction and Storage Temperature Range RθJL 30 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJS4438A F2 Q4438 4000 8000 64000 13“ reel 1/7 S-E630 Rev.3.0,30-Jun-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJS4438AF2 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 30.09.2020

Размер: 661.6 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)