IRF7478

IRF7478 N-Ch 60V Fast Switching MOSFETs  100% EAS Guaranteed  Green Device Available  Super Low Gate Charge  Excellent CdV/dt effect decline  Advanced high cell density Trench technology Product Summary Description BVDSS RDSON ID 60V 30mΩ 4.8A SOP8 Pin Configuration The IRF7478 is the high cell density trenched N-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOP-8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= STN4438 (YOUTAI)
 
SOP-8 3000 шт
 
±
A+ NCE6008AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 1200 шт ±
A+ YJS4438A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 12000 шт
 
A+ LN2605T1G (LRC)
 
SOT26
 
±
A+ LN2604DT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
±
A+ LNB8260DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LN8266DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
±
A+ LN8260DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
±
A+ LN7263DT3WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ YJM05N06A (YJ)
 
SOT-223 в ленте 5 шт
A+ YJJ05N06A (YJ)
 
 
A+ NCE6009AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ IRF7351 (EVVO)
 
SOP-8 в ленте 3000 шт
 
A+ NCE6005AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 4000 шт
 
A+ NCE6005AR (NCE)
 
SOT-223 в ленте 2500 шт ±
A+ WMS09N06TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ WMR07N06TS (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ YJL05N06AL (YJ)
 
1 шт
 
A+ LN2621DT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.