NCEP026N10D

NCEP026N10, NCEP026N10D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency General Features ● VDS =100V,ID =200A switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=2.4mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V losses are minimized due to an extremely low comb...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 17

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJN280G10H (YJ)
 
TO-247-3
A+ NCEP023N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
A+ WMM028N10HG2 (WAYON)
 
TO263 5 шт
 
A+ CRSZ019N10N4Z (CRMICRO)
 
 
A+ NCEP028N12LL (NCE)
 
180 шт
 
±
A+ NCEP026N10T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP026N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ±
A+ NCEP023N10LL (NCE)
 
 
±
A+ NCEP023N10D (NCE)
 
TO263 6 шт
 
±
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ NCEP01T30T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
в ленте 10 шт
 
±
A+ NCEP01T18VD (NCE)
 
 
±
A+ JMSH1002AS-U (JIEJIE)
 
TO2473 в линейках 30 шт
 
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ CRSZ025N10N (CRMICRO)
 
 

Файлы 1

показать свернуть
NCEP026N10, NCEP026N10D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description The series of devices uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency General Features ● VDS =100V,ID =200A switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=2.4mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON)=2.2mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) ● Very low on-resistance RDS(on) ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating and synchronous rectification. Application ● DC/DC Converter ●Ideal for high-frequency switching and 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! synchronous rectification TO-220 TO-263 Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity NCEP026N10 NCEP026N10 TO-220 - - - NCEP026N10D NCEP026N10D TO-263 - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 200 A ID (100℃) 142 A Pulsed Drain Current IDM 800 A Maximum Power Dissipation PD 300 W 2 W/℃ EAS 2300 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V1.0 PDF
Документация на NCEP026N10 

NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Keywords:

Дата модификации: 26.07.2021

Размер: 683.8 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.