WMM028N10HGD

WAYON
WMM028N10HGD 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM028N10HGD uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This device G is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263 Features  S VDS =100V, ID = 230A RDS(on) < 3...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WMM025N06HG2
Внешний вид WMM025N06HG2
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ NCEP028N12LL (NCE)
 
— 180 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP026N10T (NCE)
 
TO-247-3 ± — — —
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ± — — —
A+ NCEP023N10LL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ NCEP023N10D (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —
A+ NCEP023N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
—
 
 ± — — —
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ CRSZ025N10N (CRMICRO)
 
—
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMM028N10HGD 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMM028N10HGD uses Wayon's advanced power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D resistance and yet maintain superior switching performance. This device G is well suited for high efficiency fast switching applications. TO-263 Features  S VDS =100V, ID = 230A RDS(on) < 3mΩ @ VGS = 10V  High Speed Power Switching  Low RDS(on)  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed D RoHS compliant G Applications  Hard Switching and High Speed Circuit  DC/DC Converter  Synchronous Rectification in SMPS S Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current TC=25°C TC=100°C ID 230 145.6 A IDM 920 A EAS 768.8 mJ PD 329 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 60 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 0.38 °C/W Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.1.0, 2022 Doc:W0803640 1/7 PDF
Документация на WMM028N10HGD 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:

Дата модификации: 18.04.2022

Размер: 652.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)