NCEP035N85GU

NCEP035N85GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP035N85GU uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency ● VDS =85V,ID =135A RDS(ON)=2.9mΩ (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low com...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 18

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMLL029NV8HGS (WAYON)
 
в ленте 3000 шт
A+ NCEP85T16 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 24 шт
 
±
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
A+ NCEP026N10D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ NCEP026N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP023N10D (NCE)
 
TO263 6 шт
 
±
A+ NCEP023N10 (NCE)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
±
A+ NCEP01T18T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP01T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ NCEP85T25T (NCE)
 
TO-247-3 ±
A+ NCEP85T25D (NCE)
 
TO263
 
±
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ NCEP85T15 (NCE)
 
TO-220-3
 
±
A+ JMSH1004AE-13 (JIEJIE)
 
TO263 800 шт
 
A+ WMK053NV8HGS (WAYON)
 
TO-220-3 12 шт
 
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ NCE85H25T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
A+ NCEP026N10T (NCE)
 
TO-247-3 ±

Файлы 1

показать свернуть
NCEP035N85GU http://www.ncepower.com NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The NCEP035N85GU uses Super Trench II technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency ● VDS =85V,ID =135A RDS(ON)=2.9mΩ (typical) @ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on) and synchronous rectification. ● 150 °C operating temperature ● Pb-free lead plating Application ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification DFN 5X6 Top View Schematic Diagram Bottom View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package Reel Size Tape width Quantity P035N85GU NCEP035N85GU DFN5X6-8L - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage Parameter VDS 85 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 135 A ID (100℃) 97.2 A Pulsed Drain Current IDM 540 A Maximum Power Dissipation PD 160 W 1.28 W/℃ EAS 920 mJ TJ,TSTG -55 To 150 ℃ RθJC 0.78 ℃/W Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case(Note 2) Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 PDF
Документация на NCEP035N85GU 

Microsoft Word - NCEP035N85GU data sheet.doc

Дата модификации: 18.11.2019

Размер: 326.9 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.