NCEP040N10D

NCE POWER Semiconductor
NCEP040N10,NCEP040N10D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The series of devices uses Super Trench II technology that is ● VDS =100V,ID =130A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=3.7mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=3.55mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V los...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
 — — — — — —
A+ NCEP039N10M (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ NCEP039N10D (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —
A+ NCEP039N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ NCEP033N10D (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —
A+ NCEP033N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ NCEP028N12LL (NCE)
 
— 180 шт
 
 ± — — —
A+ NCEP026N10T (NCE)
 
TO-247-3 ± — — —
A+ NCEP026N10D (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —
A+ NCEP026N10 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ NCEP023N10D (NCE)
 
TO263
 
 ± — — —
A+ NCEP01T18T (NCE)
 
TO-247-3 ± — — —
A+ NCEP01T18 (NCE)
 
TO-220-3
 
 ± — — —
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
NCEP040N10,NCEP040N10D NCE N-Channel Super Trench II Power MOSFET Description General Features The series of devices uses Super Trench II technology that is ● VDS =100V,ID =130A uniquely optimized to provide the most efficient high frequency RDS(ON)=3.7mΩ , typical (TO-220)@ VGS=10V switching performance. Both conduction and switching power RDS(ON)=3.55mΩ , typical (TO-263)@ VGS=10V losses are minimized due to an extremely low combination of ● Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM) RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching ● Very low on-resistance RDS(on) and synchronous rectification. ● 175 °C operating temperature ● Pb-free lead plating Application ● DC/DC Converter 100% UIS TESTED! 100% ∆Vds TESTED! ● Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification TO-220 TO-263 Schematic Diagram Bottom View Top View Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Device Package NCEP040N10 NCEP040N10 TO-220-3L NCEP040N10D NCEP040N10D TO-263-2L Reel Size Tape width Quantity - - - Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 130 A ID (100℃) 100 A IDM 520 A PD 210 W 1.4 W/℃ EAS 750 mJ TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Drain Current-Continuous Drain Current-Continuous(TC=100℃) Pulsed Drain Current (Note 1) Maximum Power Dissipation Derating factor Single pulse avalanche energy (Note 5) Operating Junction and Storage Temperature Range Wuxi NCE Power Co., Ltd Page 1 http://www.ncepower.com V1.0 PDF
Документация на NCEP040N10D 

Microsoft Word - NCEP040N10D data sheet.doc

Дата модификации: 18.06.2020

Размер: 363.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)